[发明专利]成像装置和电子设备在审
| 申请号: | 202180054237.6 | 申请日: | 2021-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN116057687A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 横山孝司 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;姚鹏 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,其包括:
第一基板,其包括分别执行光电转换的一个或多个传感器像素;和
第二基板,其层叠在所述第一基板上并电连接到所述第一基板,所述第二基板包括以完全耗尽模式操作的晶体管。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述晶体管具有三维结构。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述晶体管具有Fin-FET结构,在所述Fin-FET结构中,所述晶体管包括多个翅片。
4.根据权利要求3所述的成像装置,其中,所述多个翅片通过半导体层彼此连接,所述半导体层的厚度为1μm以下。
5.根据权利要求4所述的成像装置,其中,没有离子注入到所述半导体层中。
6.根据权利要求3所述的成像装置,其中,所述多个翅片彼此独立。
7.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述晶体管具有环形栅结构。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一基板和所述第二基板通过所述晶体管的栅极或形成在与所述栅极的层相同的层中的配线电连接。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第二基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且所述第二基板经由所述第二表面与所述第一基板接合,所述第一表面设置有所述晶体管的栅极。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第二基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且所述第二基板经由所述第一表面与所述第一基板接合,所述第一表面设置有所述晶体管的栅极。
11.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第二基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且所述第二基板还在所述第二表面侧设置有多层配线层,所述第一表面设置有所述晶体管的栅极。
12.根据权利要求11所述的成像装置,其中,所述多层配线层设置有电源线、接地线、信号线、电阻元件、电容元件、电感元件和存储元件中的至少一个。
13.根据权利要求11所述的成像装置,其中,
所述第二基板还包括逻辑电路块,并且
在所述多层配线层中布置有电源线和接地线,所述电源线和所述接地线构成所述逻辑电路块。
14.根据权利要求1所述的成像装置,其中,在所述第二基板中层叠有两个以上的层,每个层都设置有所述晶体管。
15.根据权利要求1所述的成像装置,其中,
所述第二基板包括像素电路,所述像素电路基于从所述传感器像素输出的电荷输出像素电路,并且
所述像素电路包括所述晶体管。
16.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第二基板包括模拟电路,所述模拟电路包括所述晶体管。
17.根据权利要求1所述的成像装置,还包括第三基板,所述第三基板包括逻辑电路。
18.根据权利要求17所述的成像装置,其中,所述第二基板的包括所述晶体管的电路和所述第三基板的所述逻辑电路分别针对每个所述传感器像素设置。
19.根据权利要求17所述的成像装置,其中,所述逻辑电路包括具有不同技术节点的多个逻辑部。
20.根据权利要求17所述的成像装置,其中,所述逻辑电路包括存储器部。
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