[发明专利]蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模

说明书

本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]A_nB_mX_oY_iZ_j其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。根据本发明，能够提供一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命。

技术领域

本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模。

背景技术

随着存储以及非存储半导体器件的集成度逐日提高，且其结构变得越来越复杂，在将多种薄膜沉积到基板时，台阶覆盖性(step coverage)变得越来越重要。

上述半导体用薄膜由金属氮化物、金属氧化物、金属硅化物等形成。所述金属氮化物薄膜有氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)等，所述薄膜通常用作掺杂半导体的硅层与用作层间布线材料的铝(Al)、铜(Cu)等的防扩散膜(diffusion barrier)。只是，钨(W)薄膜在被沉积到基板时，用作粘合层(adhesion layer)。

为了使沉积到基板的薄膜获得优秀且均匀的物性，所形成的薄膜的高台阶覆盖性是必不可少的。因此，比起主要利用气相反应的化学气相沉积(Chemical VaporDeposition；CVD)工序，更多地采用利用表面反应的原子层沉积(Atomic LayerDeposition；ALD)工序，但是在实现100％台阶覆盖(step coverage)方面仍存在问题。

另外，在使用四氯化钛(TiCl₄)以沉积所述金属氮化物中具有代表性的氮化钛(TiN)时，所制备的薄膜内会残留诸如氯化物的工序副产物，从而诱发诸如铝等金属的腐蚀，并生成非挥发性副产物，导致膜质的劣化。

因此，需要开发出能够形成结构复杂的薄膜并且不会腐蚀层间布线材料的薄膜的形成方法以及由此制造的半导体基板等。

另外，在对半导体装置或液晶显示面板等中的晶圆或液晶用器件进行图案化时，会使用光刻。

所述光刻使用掩模作为图案化的原版，并将掩模上的图案转印到晶圆或液晶用基材，但当掩模附着有诸如灰尘或异物等杂质时，这些杂质会吸收或反射光，从而损伤所转印的图案，最终降低半导体装置或液晶显示面板等的收率和性能。

对此，提出了在掩模表面涂布蒙版(pellicle)以防止掩模表面附着杂质的方法，但是在现有的将蒙版涂布到掩模表面时，会发生透明度降低或自身劣化的问题。因此，迫切需要开发一种不仅不会降低透射率，而且还不会发生腐蚀或劣化，从而大幅改善掩模的寿命的蒙版等。

在先技术文献

专利文献

韩国公开专利第2006-0037241号

发明内容

技术问题