[发明专利]蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模

权利要求书

1.一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

为由化学式1表示的化合物，

[化学式1]

A_nB_mX_oY_iZ_j

其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。

2.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

所述蒙版由CNT、富勒烯或它们的混合物形成。

3.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

在所述化学式1中，所述o为1～5的整数。

4.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

由所述化学式1表示的化合物为支化型、环状或芳香族化合物。

5.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

由所述化学式1表示的化合物使用于ALD(原子层沉积)工序。

6.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，

由所述化学式1表示的化合物在常温22℃下为液体，密度为0.8～1.5g/cm³，在20℃下的蒸汽压为1～300mmHg，在25℃下的水中的溶解度为200mg/L以下。

7.一种蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

将由化学式1表示的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂注入到ALD腔室内并使其吸附于所装载的蒙版的表面，

[化学式1]

A_nB_mX_oY_iZ_j

其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。

8.根据权利要求7所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤i)，将所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内的蒙版的表面；

步骤ii)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第一次吹扫；

步骤iii)，将蒙版保护薄膜前体化合物进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内的蒙版的表面；

步骤iv)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第二次吹扫；

步骤v)，向所述ALD腔室内部供给反应气体；以及

步骤vi)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第三次吹扫。

9.根据权利要求7所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤i)，将蒙版保护薄膜前体化合物进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内的蒙版的表面；

步骤ii)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第一次吹扫；

步骤iii)，将所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内的蒙版的表面；

步骤iv)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第二次吹扫；

步骤v)，向所述ALD腔室内部供给反应气体；以及

步骤vi)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第三次吹扫。