[发明专利]用于EUV投射曝光系统的光学元件

说明书

本发明涉及一种生产用于EUV投射曝光设备的光学元件的方法，其中，成形层(22₁)被施加到衬底(20)上，使得所述成形层在被施加到衬底(20)上之后立即具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。

技术领域

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2020 207 807.6的优先权，其内容通过引用并入于此。

本发明涉及一种用于EUV投射曝光设备的光学元件。本发明还涉及具有这种光学元件的集光器以及用于生产这种光学元件的中间产品。此外，本发明涉及一种用于制造这种光学元件的方法。

背景技术

为了制造用于EUV投射曝光设备的光学元件，可以在蚀刻层中引入光栅结构。这种具有限定台阶高度的光栅结构的生产非常复杂。此外，光栅结构的台阶高度可能会发生波动和/或其与指定值的偏差。

发明内容

本发明的目的是改进用于EUV投射曝光设备的光学元件。

这个目的通过权利要求1的特征来实现。

本发明的一个方面在于设计具有成形层的光学元件，其中成形层被结构化以形成光栅结构，使得从底部区域到侧面的过渡形成有尖锐的边缘。特别地，可以避免从底部区域到侧面的过渡处的变圆。

在这种情况下，成形层可以限定光栅结构的前侧和底部区域的位置，特别是光栅结构的前侧和底部区域的相对位置。特别地，它可以定义、特别是精确地指定光栅结构的一个或多个台阶高度。光栅结构的特性尤其是通过特定的层厚度分布来定义的。

特别地，前侧和底部区域彼此平行延伸。这至少近似适用，特别是至少局部适用，特别是在衬底具有弯曲的基本形貌的情况下。

已经认识到，光栅结构的精度可以通过这种方式得到提高。这引起了光学元件的改进的光学性质，特别是在期望的波长范围内产生更高的反射率和/或在不期望的波长范围内产生降低的反射率。

光栅结构也被称为沟槽结构或台阶结构。它可以是具有前侧和底部区域、但没有中间台阶的单台阶结构，或者它可以是具有一个或多个中间台阶的双台阶或多台阶结构。

从底部区域到侧面的锐边过渡尤其可以通过其曲率半径rB来表征。该曲率半径rB特别是至多5μm，特别是至多3μm，特别是至多2μm，特别是至多1μm，特别是至多0.5μm。这种锐边过渡不能用常规方法实现。

根据本发明的另一方面，从前侧到侧面的过渡形成有尖锐的边缘。从前侧到侧面的锐边过渡尤其可以通过其曲率半径rV来表征。该曲率半径rV特别是至多5μm，特别是至多3μm，特别是至多2μm，特别是至多1μm，特别是至多0.5μm。

特别地，可以避免在抛光步骤后观察到的从前侧到侧面的过渡处的边缘变圆。

也可以将多个成形层施加到衬底上。

成形层尤其可以用作蚀刻层。因此，它们也被称为蚀刻层。

根据本发明的一个方面，层厚度各自与指定的层厚度分布的最大偏差为至多50nm，特别是至多30nm，特别是至多20nm，特别是至多10nm。层厚度与指定的层厚度分布的最大偏差特别是至多2％，特别是至多1％，特别是至多0.5％，特别是至多0.3％，特别是至多0.2％，特别是至多0.1％。

因此，成形层的实际厚度非常精确地对应于指定的分布。特别地，与传统的抛光和蚀刻方法相比，它可以被更精确地指定并且实际地实现。

一个或多个、特别是所有成形层的层厚度特别是至少1μm，特别是至少3μm，特别是至少5μm。所述厚度特别是至多50μm，特别是至多30μm，特别是至多20μm，特别是至多10μm。层厚度特别地可以在3μm至7μm的范围内。

这特别有利于用于滤光的光栅结构，特别是用于抑制红外辐射的光栅结构。