[发明专利]用于EUV投射曝光系统的光学元件

权利要求书

1.一种用于EUV投射曝光设备(1)的光学元件，具有：

1.1.用于指定弯曲的基本形貌的衬底(20)，

1.2.施加在所述衬底(20)上的至少一个第一成形层(22₁)，具有根据指定的层厚度分布(D1v(s))的层厚度(D1(s))，以及

1.1.EUV辐射反：射层(37)，

1.3.其中，所述成形层(221)被结构化以形成具有底部区域、前侧和侧面的光栅结构，

1.4.其中，从所述底部区域到所述侧面的过渡具有至多5μm的曲率半径，并且

1.5.其中，所述EUV辐射反射层(37)至少被施加至所述光栅结构的所述底部区域和所述前侧。

2.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，在每种情况下所述层厚度(D1)与指定的层厚度(Dv1)的最大偏差至多为50nm。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域的表面粗糙度比所述前侧的表面粗糙度大至多20％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，蚀刻停止层(23₁)布置在所述衬底(20)和所述成形层(22₁)之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，俯视图中所述侧面的面积的比例至多为所述光学元件的总表面积的2％。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述成形层(22₁)具有纳米叠层。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件作为光谱滤波器的用途。

9.一种生产用于EUV投射曝光设备(1)的光学元件的方法，包括以下步骤：

9.1.提供具有基本形貌的衬底(20)，

9.2.将成形层(22₁)施加到所述衬底(20)上，所述成形层具有根据指定的层厚度分布(D1v(s))的层厚度(D1(s))，

9.3.施加蚀刻停止层(23₁)，其中所述蚀刻停止层(23₁)施加在所述成形层(22₁)下方，

9.4.其中，所述成形层(22₁、22₂)在施加到所述衬底(20)上之后立即具有至多0.5nmrms的表面粗糙度，

9.5.其中，所有层都以真空方法施加，其中在各个层的施加步骤之间维持真空。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，施加所述成形层(22₁、22₂)以使得其层厚度(D1)与指定的层厚度(D1v)相差至多1％。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，使用粗糙度保持方法或平滑方法来施加所述成形层(22₁、22₂)。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，至少两个成形层(22₁、22₂)被施加到所述衬底(20)上，每个所述成形层通过蚀刻停止层(23₁)彼此分离。

13.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其特征在于，仅包括增材步骤(21、36)和选择性结构化步骤(25、32)。