[发明专利]分离膜的清洗方法

说明书

本发明的含硅排水的处理方法，包括：向含硅排水中添加凝集剂进行凝集处理，使用分离膜对凝集处理后的含硅排水进行膜分离或除浊，以规定频率使在含硅排水的膜分离或除浊中使用了的分离膜与含有水溶性氟化氢盐的溶液接触。

技术领域

本发明涉及一种水处理用分离膜的清洗方法。更详细而言，涉及一种在水的除浊处理等中使用的抑制分离膜的性能降低或使分离膜的性能恢复的清洗方法，所述水是从用于气体无害化的湿式排气处理装置等中排出的，所述气体在半导体等的制造中排出。

背景技术

在半导体、液晶面板、太阳能电池等的制造中进行的清洁或蚀刻等工序中使用并排出的气体中，含有单硅烷(SiH₄)、二硅烷(Si₂H₆)、二氯硅烷(SiH₂Cl₂)、四乙氧基硅烷(TEOS：Si(OC₂H₅)₄)、三甲基硅烷((CH₃)₃SiH)、四氟化硅(SiF₄)等含硅气体；CF₄、C₂F₆、C₃F₈、c-C₄F₈、CHF₃、SF₆、NF₃等PFCs气体等。PFCs气体的温暖化系数高。半导体等的制造中排出的气体通过湿式排气处理装置或与燃烧式除害装置组合的湿式排气处理装置，进行无害化并释放到大气中。在该湿式排气处理装置中使用了的水，在排水处理装置中被净化，并排出到大海或河流中或在湿式排气处理装置中再次使用，或者进行纯水化或超纯水化并在半导体等的制造中使用。这种排水处理装置有时采用膜分离法。

在膜分离法中使用的MF膜、UF膜和NF膜中，频繁进行反清洗或空气清洗等物理清洗，以从膜面除去滞留悬浮物。但是，由于仅通过物理清洗不能够完全除去滞留悬浮物，因此膜间压差逐渐增大。在膜间压差升高至界限以上的分离膜(MF膜、UF膜、NF膜、RO膜等)中实施化学清洗，降低膜间压差并使性能恢复。分离膜的化学清洗使用碱性清洗剂(NaOH、KOH、NH₄OH等)、酸性清洗剂(柠檬酸、草酸、HCl等)、氧化剂(次氯酸钠等)、还原剂(抗坏血酸、抗坏血酸钠等)、螯合剂(乙二胺四乙酸的盐、次氮基乙酸等)、有机溶剂、表面活性剂等。

例如，专利文献1公开了一种反渗透膜的清洗再生方法，其是至少包括两个清洗阶段的水处理用分离膜的清洗再生方法，其特征在于，按顺序进行第一清洗阶段和第二清洗阶段，所述第一清洗阶段用酸性溶液来清洗水处理用分离膜的膜，所述第二清洗阶段用含有福尔马林和碱性助剂的碱性溶液来清洗所述膜。作为能在酸性溶液中使用的酸之一，专利文献1示出了氟化氢。

专利文献2公开了一种过滤膜的清洗方法，其是将超纯水制造中使用的UF膜、MF膜、NF膜等过滤膜在用于超纯水制造工序之前进行预先清洗的方法，其特征在于，按顺序包括：用酸剂清洗所述过滤膜的酸清洗工序；用70℃以上的纯水清洗的高温纯水清洗工序；以及用超纯水清洗该过滤膜的超纯水清洗工序，所述高温纯水清洗工序交替地重复实施通水清洗和浸渍清洗。作为在酸清洗工序中使用的酸剂之一，专利文献2示出了氢氟酸。

专利文献3公开了一种分离膜的清洗/再生方法，其特征在于，在用分离膜将排水进行净化并再生利用的情况下，使用清洗液溶解或除去附着于所述分离膜表面的硅化合物等。作为该方法中使用的清洗液，公开了添加乙二胺四乙酸四钠四水合物以将pH调节为碱性的清洗液。专利文献3中记载了在结晶性二氧化硅(silica)的除去中有用氢氟酸进行分解/溶解的方法，但由于氢氟酸也腐蚀高分子等有机物，因此不能够用作清洗剂。

专利文献4公开了污垢清洗剂组合物，其含有：硼酸、过饱和钠、硼酸钠等硼化合物；盐酸等无机酸；酸性氟化铵、氟化氢、氟化铵等氟化合物。专利文献4中记载了用该污垢清洗剂组合物能够同时除去热交换器中生成的二氧化硅垢和钙垢。

现有技术文献