[发明专利]超连续谱辐射源及相关量测装置

说明书

描述了一种超连续谱辐射源，包括：调制解调器，可操作为调制包括辐射脉冲的串的泵浦激光辐射，以提供经调制的泵浦激光辐射，调制使得选择性地提供脉冲的猝发串；以及中空芯部光子晶体光纤，可操作为接收经调制的泵浦激光辐射，并且激励包含在中空芯部光子晶体光纤内的工作介质，从而产生超连续谱辐射。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月19日提交的EP申请20175307.6的优先权，该申请通过引用整体并且入本文。

技术领域

本发明涉及一种基于中空芯部光子晶体光纤的超连续谱(supercontinuum)辐射源，并且具体地，涉及与集成电路制造中的量测应用相关的这种超连续谱辐射源。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

低k₁光刻术可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k₁×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常印制的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，k₁是经验分辨率因子。通常，k₁越小，就越难以在衬底上复制与电路设计者为实现特定电气功能和性能而计划的形状和尺寸类似的图案。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些包括例如但不限于NA的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化(诸如设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学过程校正”))、或通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路来改善低k1下的图案的再现。

量测工具用于IC制造过程的许多方面中，例如作为用于在曝光之前恰当即正确定位衬底的对准工具、用以测量衬底的表面形貌的调平工具、用于在过程控制中检查/测量经曝光的和/或经蚀刻的产品的基于聚焦控制和散射测量的工具。在每种情况下，都需要辐射源。由于各种原因(包括测量鲁棒性以及准确度)，宽带或白光辐射源被越来越多地用于这种量测应用。希望改进用于宽带辐射产生的现有装置。

发明内容

在本发明的第一方面中，提供了一种超连续谱辐射源，包括：调制解调器，可操作为调制包括辐射脉冲的串的泵浦激光辐射，以提供经调制的泵浦激光辐射，所述调制使得选择性地提供所述脉冲的猝发串；以及中空芯部光子晶体光纤，可操作为接收经调制的泵浦激光辐射，并且激励包含在中空芯部光子晶体光纤内的工作介质，从而产生超连续谱辐射。

在本发明的第二方面，提供了一种量测装置，包括：衬底支撑件，用于支撑衬底；根据第一方面的超连续谱辐射源；光学系统，可操作为将来自超连续谱辐射源的超连续谱辐射引导到衬底；以及处理器，可操作为产生用于调制解调器的控制信号。

附图说明

现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了光刻设备的示意概略图；

图2描绘了光刻单元的示意概略图；