[发明专利]高传导性处理套件

说明书

示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室可包括基座，该基座被配置为支撑半导体基板，其中喷头及基座至少部分地限定半导体腔室内的处理区域。该腔室可包括间隔件，该间隔件的特征为与该喷头接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该腔室可包括泵送衬垫，该泵送衬垫的特征为与间隔件接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。泵送衬垫可以在泵送衬垫的第一表面内限定多个孔隙。

相关申请的交叉引用

本申请主张于2020年9月17日提交的名称为“HIGH CONDUCTANCE PROCESS KIT(高传导性处理套件)”的第17/023,987号美国专利申请的权益及优先权，该美国专利申请以全文引用的方式并入本文。

技术领域

本技术关于半导体处理及设备。具体而言，本技术关于腔室盖堆叠部件及配置。

背景技术

通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于移除暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移到下层、减薄层或减薄已经存在于表面上的特征的侧向尺寸。从基板上移除材料会在处理腔室中产生粒子，必须移除这些粒子以避免副产物在处理腔室及基座的表面上堆积。处理腔室内的紊流会产生额外的副产物堆积。基座的压板表面下侧的堆积可影响基板温度，并导致基板上图案化的材料层的非均匀性。

因此，需要能够用于生产高品质器件和结构的改进的系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。

发明内容

示例性半导体处理腔室可包括喷头及基座，该基座被配置为支撑半导体基板，其中喷头及基座至少部分地限定半导体处理腔室内的处理区域。半导体处理腔室也可以包括间隔件，该间隔件的特征在于与喷头接触的第一表面及与第一表面相对的第二表面。半导体处理腔室也可包括泵送衬垫，该泵送衬垫的特征在于与间隔件接触的第一表面及与第一表面相对的第二表面，其中该泵送衬垫在该泵送衬垫的第一表面内限定多个孔隙。

在一些实施方式中，间隔件包括环形物，并且在间隔件的第一表面与间隔件的第二表面之间延伸的间隔件的内部环形侧壁至少部分地限定处理区域。间隔件的内部环形侧壁的特征可至少部分地在于在朝向间隔件的第二表面的方向上远离处理区域延伸的弓形轮廓。位于间隔件的第二表面处的间隔件的内部环形侧壁可被定位于泵送衬垫的第一表面内的多个孔的径向外侧。间隔件的第二表面可以安置于(seat)泵送衬垫上。泵送衬垫可包括环形物，该环形物的特征为内部环形侧壁及外部环形侧壁，并且泵送衬垫可以在内部环形侧壁与外部环形侧壁之间限定气室。多个孔隙可以提供从泵送衬垫的第一表面到气室的流体通路。泵送衬垫的内部环形侧壁可以竖直延伸，以在内部环形侧壁处限定从泵送衬垫的第一表面突出的轮缘(rim)。基座在半导体处理腔室的处理区域内是可竖直平移的，并且基座可包括压板及从压板的背面延伸的杆。当基座处于靠近喷头的升高操作位置时，横跨压板背面的平面被保持为低于从泵送衬垫的第一表面突出的轮缘的上表面。

本技术的一些实施方式可包括半导体处理系统。该系统可包括半导体处理腔室泵送衬垫。泵送衬垫可包括环形构件，该环形构件的特征为第一表面，其中穿过环形构件的第一表面限定有多个孔隙。泵送衬垫也可包括与第一表面相对的第二表面。泵送衬垫也可包括内部环形侧壁及外部环形侧壁。

在一些实施方式中，泵送衬垫的第二表面限定了围绕环形构件的气室，该气室在内部环形侧壁与外部环形侧壁之间朝向第一表面延伸。多个孔隙可以穿过环形构件的第一表面提供通向气室的流体通路。环形构件的内部环形侧壁可以竖直延伸，以在内部环形侧壁处限定从第一表面突出的轮缘。该轮缘可以围绕内部环形侧壁连续地延伸。