[发明专利]高传导性处理套件

权利要求书

1.一种半导体处理腔室，包括：

喷头；

基座，被配置为支撑半导体基板，其中所述喷头及所述基座至少部分地限定所述半导体处理腔室内的处理区域；

间隔件，其特征为与所述喷头接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及

泵送衬垫，其特征为与所述间隔件接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述泵送衬垫在所述泵送衬垫的所述第一表面内限定多个孔隙。

2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述间隔件包括环形物，并且其中在所述间隔件的所述第一表面与所述间隔件的所述第二表面之间延伸的所述间隔件的内部环形侧壁至少部分地限定所述处理区域。

3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述间隔件的所述内部环形侧壁的特征至少部分地在于弓形轮廓，所述弓形轮廓在朝向所述间隔件的所述第二表面的方向上远离所述处理区域延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体处理腔室，其中位于所述间隔件的所述第二表面处的所述间隔件的所述内部环形侧壁被定位于所述泵送衬垫的所述第一表面内的所述多个孔的径向外侧。

5.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述间隔件的所述第二表面安置于所述泵送衬垫上。

6.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述泵送衬垫包括环形物，所述环形物的特征为内部环形侧壁及外部环形侧壁，并且其中所述泵送衬垫在所述内部环形侧壁与所述外部环形侧壁之间限定气室。

7.根据权利要求6所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔隙提供从所述泵送衬垫的所述第一表面到所述气室的流体通路。

8.根据权利要求6所述的半导体处理腔室，其中所述泵送衬垫的所述内部环形侧壁竖直延伸，以在所述内部环形侧壁处限定从所述泵送衬垫的所述第一表面突出的轮缘。

9.根据权利要求8所述的半导体处理腔室，其中所述基座在所述半导体处理腔室的所述处理区域内是可竖直平移的，并且其中所述基座包括压板及杆，所述杆从所述压板的背面延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体处理腔室，其中，当所述基座处于靠近所述喷头的升高操作位置时，横跨所述压板的所述背面的平面被保持为低于从所述泵送衬垫的所述第一表面突出的所述轮缘的上表面。

11.一种半导体处理腔室泵送衬垫，包括：

环形构件，其特征为：

第一表面，其中穿过所述环形构件的所述第一表面限定有多个孔隙，

第二表面，与所述第一表面相对，

内部环形侧壁，以及

外部环形侧壁。

12.根据权利要求11所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述第二表面限定了围绕所述环形构件的气室，所述气室在所述内部环形侧壁与所述外部环形侧壁之间朝向所述第一表面延伸。

13.根据权利要求12所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述多个孔隙提供穿过所述环形构件的所述第一表面通向所述气室的流体通路。

14.根据权利要求11所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述环形构件的所述内部环形侧壁竖直延伸，以在所述内部环形侧壁处限定从所述第一表面突出的轮缘。

15.根据权利要求14所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述轮缘围绕所述内部环形侧壁连续地延伸。