[发明专利]基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置在审
申请号: | 202180030117.2 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN115485812A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 冈村元洋 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 杯状体 清洗 方法 | ||
1.一种基片处理装置的杯状体的清洗方法,其中,所述基片处理装置包括:水平地保持基片的保持部;使所述保持部以铅垂的旋转轴为中心旋转的旋转部;向所述保持部所保持的所述基片的上表面供给液体的液供给单元;和杯状体,其包围所述保持部所保持的所述基片的周缘,承接从所述基片的周缘飞散的所述液体,所述清洗方法的特征在于,具有:
在所述杯状体的内部水平地保持所述基片,并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下,从第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液,并且从第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第二处理液的步骤;和
在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中,使所述第二喷嘴在第一位置与第二位置之间在所述基片的径向上移动的步骤,其中,所述第一位置是所述第二喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的位置,所述第二位置是所述第二喷嘴的喷射线偏离所述基片的位置。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于:
在使所述第二喷嘴在所述第一位置与所述第二位置之间移动的期间,从所述第二喷嘴向所述基片的倾斜部供给所述第二处理液。
3.根据权利要求1或2所述的清洗方法,其特征在于:
在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中,使所述第二喷嘴在所述第一位置与所述第二位置之间往返。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
在将所述第二喷嘴固定于所述第一位置的状态下,断续地实施由所述第二喷嘴进行的所述第二处理液的排出。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在作为与所述第一方向相反方向的第二方向上旋转的状态下,从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液,并且从所述第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给所述第二处理液的步骤。
6.根据权利要求5所述的清洗方法,其特征在于:
所述第二喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第一方向的成分。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
具有对从所述第一喷嘴排出的所述第一处理液进行预加热的步骤。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
具有对从所述第二喷嘴排出的所述第二处理液进行预加热的步骤。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
所述第一处理液是纯水或碱性溶液且所述第二处理液是碱性溶液,
或者,所述第一处理液是纯水或酸性溶液且所述第二处理液是酸性溶液,
或者,所述第一处理液和所述第二处理液这两者是纯水。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的清洗方法,其特征在于:
具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在作为与所述第一方向相反方向的第二方向上旋转的状态下,从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液,并且从第三喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第三处理液的步骤,
所述第二喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第一方向的成分,
所述第三喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第二方向的成分。
11.根据权利要求10所述的清洗方法,其特征在于:
具有在所述第三喷嘴排出所述第三处理液的过程中,使所述第三喷嘴在所述第三喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的位置与所述第三喷嘴的喷射线偏离所述基片的位置之间,在所述基片的径向上移动的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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