[发明专利]使用存储器内建自测试的参考位测试和修复

权利要求书

1.一种电路中的存储器测试电路，所述存储器测试电路被配置来执行所述电路中的存储器的测试，所述存储器包括：被配置来存储数据位的数据位列、被配置来存储参考位的参考位列、以及被配置为将所述参考位列中的一个或多个参考位列与所述数据位列中的数据位列相关联的列关联电路，所述存储器测试电路包括：

测试控制器；以及

关联调整电路，其耦合到所述列关联电路和所述测试控制器，所述关联调整电路由所述测试控制器可配置以将所述参考位列中的另一个或多个参考位列或所述数据位列中的一个或多个数据位列与所述数据位列中的所述数据位列相关联，

其中，所述存储器的所述测试包括：

基于由所述列关联电路关联的所述参考位列中的一个或多个参考位列执行一个或多个读取操作以生成一个或多个输出；

将所述一个或多个输出与对应的良好机器值进行比较，以确定所述一个或多个输出中的任何一者是否不正确；

如果所述一个或多个输出中的至少一者不正确，则重复所述一个或多个读取操作中的至少一者，以生成至少一个第二输出，其中所述一个或多个读取操作基于由所述关联调整电路关联的所述参考位列中的另一个或多个参考位列或者所述数据位列中的一个或多个数据位列来生成所述一个或多个输出中的所述至少一者；以及

将所述至少一个第二输出与所述对应的良好机器值进行比较，以确定由所述列关联电路关联的所述参考位列中的所述一个或多个参考位列是否有缺陷。

2.根据权利要求1所述的存储器测试电路，还包括：

修复电路，其被配置为使用额外的参考位列来替换由所述存储器测试电路检测到的有缺陷的参考位列。

3.根据权利要求2所述的存储器测试电路，其中，所述修复电路包括：

寄存器，其耦合到所述关联调整电路并且被配置来加载一个或多个有缺陷的参考列的修复信息；

地址比较设备，其被配置为将用于读取操作的数据位列地址与用于与所述一个或多个有缺陷的参考位列相关联的数据位列的一个或多个地址进行比较；以及

复用设备，其由所述地址比较设备的输出控制，并且被配置为从来自所述寄存器的信号和来自所述列关联电路的信号之间选择输出信号。

4.根据权利要求1所述的存储器测试电路，其中，所述列关联电路是解码器，其被配置为基于用于读取操作的地址信号来生成用于选择所述参考位列中的一个或多个参考位列的信号。

5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述存储器是磁阻随机存取存储器(MRAM)，并且对所述存储器的读取操作包括：分别将来自数据位列的输出与来自与所述数据位列相关联的两个参考位列(分别存储“0”和“1”)的输出进行比较，或者将来自数据位列的输出与来自与所述数据位列相关联的两个参考位列(分别存储“0”和“1”)的输出之和的一半进行比较。

6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述关联调整电路包括复用电路，所述复用电路被配置为在所述列关联电路的输出信号与直接来自所述测试控制器的信号或基于来自所述测试控制器的信号产生的信号之间进行选择。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述设备被配置为将一位加至由所述列关联电路关联的所述参考位列中的所述一个或多个参考位列的地址，以生成所述参考位列中的所述另一个或多个参考位列的地址。