[发明专利]检查晶片期间静电卡盘的动态控制方法、装置和系统

说明书

一种静电卡盘控制系统被配置为在晶片的检查过程期间利用，该静电卡盘控制系统包括载物台的静电卡盘，该载物台被配置为在检查过程期间被解除对接，其中静电卡盘包括多个部件，该多个部件被配置为在检查过程期间影响晶片与静电卡盘之间的相互作用；第一传感器，被配置为生成多个部件中的至少一些部件与晶片之间的测量数据；以及控制器，包括电路系统，该电路系统被配置为接收测量数据以确定晶片相对于静电卡盘的特性并且生成调整数据以使得能够在载物台被解除对接的同时基于所确定的特性来调整多个部件中的至少一些部件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月20日提交的美国申请62/992,718的优先权，其全部内容通过引入并入本文。

技术领域

本文中的描述涉及带电粒子射束装置的领域，更具体涉及一种动态控制的静电卡盘。

背景技术

通过检测次级电子、背散射电子、镜像电子、或在由带电粒子射束装置生成的带电粒子射束撞击时来自晶片衬底的表面的其他种类的电子，带电粒子射束装置能够产生晶片衬底的二维图像。在半导体工业中，各种带电粒子射束装置在半导体晶片上用于各种目的，诸如晶片处理(例如，电子射束直写光刻系统)、过程监测(例如，临界尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM))、晶片检查(例如，电子射束检查系统)、缺陷分析(例如，缺陷检查SEM(比方说DR-SEM)和聚焦离子射束系统(或比方说FIB))等。在检查晶片期间，将晶片放置在静电卡盘(e-chuck)上。将晶片放置在静电卡盘上可以在实施于静电卡盘中的多个电极与晶片之间生成吸引力。可以通过向多个电极施加高电压以吸引和稳固带电晶片来实现静电卡盘与晶片之间的吸引。而且，静电卡盘可以通过使用在静电卡盘中实现的引脚来使晶片接地，该引脚可以将晶片偏置到预定电压电平。然而，静电卡盘执行上述功能的能力可能受到静电卡盘位置的限制。

发明内容

本发明的各实施例提供一种多射束检查装置，更具体地，提供一种单射束检查系统或多射束检查系统，包括改进的静电卡盘控制系统。在一些实施例中，检查系统包括：静电卡盘，其包括多个电极，该多个电极被配置为影响晶片与静电卡盘之间的相互作用；第一传感器，被配置为在多个电极与晶片之间进行测量；驱动器，被配置为捕获来自第一传感器的测量并且将电压施加到多个电极；以及控制器，被配置为接收驱动器所捕获的测量以确定晶片在检查晶片期间是否翘曲、并且基于该确定来调整施加到多个电极的电压。

在一些实施例中，提供了一种用于动态调整静电卡盘控制系统的参数以用于晶片检查的方法。该方法包括：从第一传感器，接收在静电卡盘中的多个电极与晶片之间测量的电容，以确定晶片的弯曲，其中多个电极被配置为当被供应高电压时影响晶片与静电卡盘之间的相互作用；以及向静电卡盘控制系统提供第一控制信号，该静电卡盘控制系统被配置为在检查晶片期间基于该确定来控制静电卡盘，以调整供应给多个电极的高电压。

在一些实施例中，提供一种非暂态计算机可读介质，存储指令，这些指令由处理器执行使得装置执行在检查晶片期间动态调整参数的方法。该方法包括：从第一传感器，接收在静电卡盘中的多个电极与晶片之间测量的电容，以确定晶片的弯曲，其中多个电极被配置为当被供应高电压时影响晶片与静电卡盘之间的相互作用；以及向静电卡盘控制系统提供第一控制信号，该静电卡盘控制系统被配置为在检查晶片期间基于该确定来控制静电卡盘，以调整供应给多个电极的高电压。

附图说明

图1是图示了根据本发明的实施例的示例电子射束检查(EBI)系统的示意图。

图2是图示了根据本公开的实施例的示例电子射束工具的示意图，该示例电子射束工具可以是图1的示例电子射束检查系统的一部分。

图3是根据本公开的实施例的用于检测与晶片和静电卡盘之间的界面相关联的潜在问题并且在检查晶片期间实时进行调整的示例性系统的图示。

图4A是图示了根据本公开的实施例的图3中的示例性系统的实施例的示意图。