[发明专利]透明电极及其制造方法、以及使用透明电极的电子器件

权利要求书

1.透明电极，其具备包括：

透明基材、

金属网格、

金属纳米线、和

中性聚噻吩混合物

的结构，

所述金属网格具有埋设入所述透明基材的埋设部和从所述透明基材突出的突出部，

所述金属纳米线和所述中性聚噻吩混合物以与所述透明基材或所述金属网格的所述突出部接触的方式配置。

2.权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述金属网格的厚度为5～50μm。

3.权利要求1或2所述的透明电极，其中，所述突出部的高度为1μm以下。

4.权利要求1～3任一项所述的透明电极，其中，所述金属网格的线宽为10～100μm。

5.权利要求1～4任一项所述的透明电极，其中，所述中性聚噻吩混合物为中性聚噻吩和掺杂剂的混合物，所述中性聚噻吩混合物的浓度为1质量％的水中分散液时的pH为5～7。

6.权利要求1～5任一项所述的透明电极，其中，所述中性聚噻吩为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。

7.权利要求1～6任一项所述的透明电极，其中，所述透明电极的薄层电阻为0.01～1Ω/□。

8.权利要求1～7任一项所述的透明电极，其满足以下关系：

[所述金属网格的薄层电阻]＜[由所述金属纳米线形成的膜的薄层电阻]＜[由所述中性聚噻吩混合物形成的膜的薄层电阻]。

9.权利要求1～8任一项所述的透明电极，其中，以所述透明电极的表面积为基准的、所述透明基材的露出部表面的面积比即开口率为90～99％。

10.权利要求1～9任一项所述的透明电极，其中，所述透明基材的露出部表面的平均表面粗糙度为10nm以下。

11.权利要求1～10任一项所述的透明电极，其中，在所述金属网格的突出部的表面、所述金属纳米线的表面或所述层叠结构的表面还具备石墨烯层。

12.透明电极的制作方法，其包括以下工序：

(A)准备临时支持体的工序，

(B)在所述临时支持体上配置金属网格的工序，

(C)将所述金属网格的一部分埋设入所述透明基材的工序，

(D)将所述透明基材与所述临时支持体剥离，以所述金属网格的剩余的一部分形成从所述透明基材的表面突出的突出部的方式将所述金属网格配置于所述透明基材的工序，

(E)将金属纳米线以与所述金属网格的突出部接触的方式配置的工序，以及

(F)将中性聚噻吩混合物以与所述金属网格的突出部接触的方式配置的工序。

13.权利要求12所述的制作方法，其中，所述工序(B)通过在所述临时支持体上贴附金属箔，通过光刻法对所述金属箔进行图案化来进行。

14.权利要求12～13任一项所述的制作方法，其在工序(B)之后，还包括将所述金属网格的突出部的表面的氧化物去除的工序。

15.权利要求12～14任一项所述的制作方法，其在工序(D)之后，还包括对所述金属网格突出部进行疏水化处理，在所述透明基材的露出部表面制作亲水性聚合物膜的工序。

16.权利要求12～15任一项所述的制作方法，其还包括形成石墨烯层的工序。

17.电子器件，其具备权利要求1～11任一项所述的透明电极。

18.权利要求17所述的电子器件，其具备：所述透明电极、光电转换层和对电极。