[发明专利]激光加工装置及激光加工方法在审
| 申请号: | 202180011344.0 | 申请日: | 2021-01-18 | 
| 公开(公告)号: | CN115039204A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 | 
| 发明(设计)人: | 是松克洋;坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/08;B23K26/53 | 
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
本发明的激光加工装置是将聚光区域的一部分对准对象物而照射激光,由此在对象物的内部沿着假想面形成改质区域。激光加工装置,具备:支撑对象物的支撑部;将激光照射于对象物的照射部;以聚光区域的一部分在对象物的内部沿着假想面移动的方式,使支撑部及照射部的至少一方移动的移动机构;及控制支撑部、照射部及移动机构的控制部,照射部以在与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向的方式具有对激光进行成形的成形部。长边方向是与聚光区域的一部分的移动方向交叉的方向。
技术领域
本发明的一形态是关于激光加工装置及激光加工方法。
背景技术
专利文献1中,记载有激光加工装置,具备:保持工件的保持机构,及对保持在保持机构的工件照射激光的激光照射机构。专利文献1记载的激光加工装置是相对于基台固定具有聚光透镜的激光照射机构,由保持机构实施沿着与聚光透镜的光轴垂直的方向的工件的移动。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本特许5456510号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]
但是,如上述的激光加工装置中,有凭借激光照射对象物,在对象物的内部沿着假想面形成改质区域的情况。此时,以跨假想面的改质区域及从改质区域延伸的龟裂为界,使得对象物的一部分剥离。近年来,在如以上的剥离加工中,例如伴随着越发的普及扩大,期待顺畅度提升(tact up)(作业时间的缩短化)。
为此,本发明的一形态是以提供在对象物的内部沿着假想面形成改质区域的情况可实现顺畅度提升的激光加工装置及激光加工方法为课题。
[用于解决课题的手段]
本发明的一形态的激光加工装置,为将聚光区域的一部分对准对象物而照射激光,由此在对象物的内部沿着假想面形成改质区域的激光加工装置,具备:支撑对象物的支撑部;将激光照射于对象物的照射部;以聚光区域的一部分在对象物的内部沿着假想面移动的方式,使支撑部及照射部的至少一方移动的移动机构;及控制支撑部、照射部及移动机构的控制部,照射部是以在沿着假想面的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向的方式具有对激光进行成形的成形部,长边方向是与聚光区域的一部分的移动方向交叉的方向。
本发明人等在重复致力于研究,发现在沿着假想面形成改质区域的情况,在沿着假想面的面内激光的聚光区域的一部分的形状具有长边方向时,从该改质区域沿着假想面延伸的龟裂容易朝着该长边方向延伸。为此,本发明的一形态相关的激光加工装置中,设与聚光区域的一部的移动方向(以下,也称「加工行进方向」)交叉的方向为该长边方向,由此,使朝着与加工行进方向交叉的方向的龟裂容易延伸,可促使沿着假想面的龟裂的进展。因此,例如,即使与加工行进方向交叉的方向的改质区域的改质点的间隔加大,仍可沿着假想面使龟裂充分地进展。其结果,可实现顺畅度提升。
本发明的一形态的激光加工装置中,长边方向也可相对于聚光区域的一部分的移动方向呈45°以上倾斜的方向。此时,可进一步促进沿假想面的龟裂的进展。
本发明的一形态的激光加工装置中,长边方向也可以是沿着聚光区域的一部分的移动方向的垂直方向的方向。此时,可进一步促进沿假想面的龟裂的进展。
本发明的一形态的激光加工装置中,聚光区域的一部分的形状也可以是椭圆率为0.88~0.95的形状。此时,可进一步促进沿假想面的龟裂的进展。
本发明的一形态的激光加工装置中,控制部也可以是在对象物中沿着从周缘向内侧呈旋涡状延伸的加工用线,使聚光区域的一部分相对地移动,在对象物的内部形成改质区域。由此,以跨假想面的改质区域及从改质区域延伸的龟裂为界,可精度良好地将对象物的一部分剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





