[发明专利]光接收元件、成像元件和成像装置在审
申请号: | 202180008885.8 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN114930538A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 井本努 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 元件 成像 装置 | ||
该光接收元件包括传感器基板(102)和电路板(101)。传感器基板(102)设置有光接收区域(103)、一对电压施加电极以及入射面电极(104)。光接收区域(103)将入射光光电转换为信号电荷。该对电压施加电极交替地施加电压以在光接收区域(103)中生成对信号电荷进行时间划分并且将信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。入射面电极(104)设置在光接收区域的光入射面上并且被施加接地电位或接地电位以下的电压。电路板(101)设置在传感器基板(102)的与光入射面相对的表面上。电路板(101)设置有由电荷累积电极累积的信号电荷的像素晶体管。
技术领域
本公开涉及光接收元件、成像元件和成像装置。
背景技术
在使用间接飞行时间(ToF)方法的距离测量系统中使用的光接收元件包括多个光接收像素以矩阵排列的像素阵列。每个光接收像素包括:光接收区域,将入射光光电转换为信号电荷;以及一对电极,电压被交替地施加至该对电极以在光接收区域中生成对信号电荷进行时间划分并且将该信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。(例如,参照专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开第2011-86904号。
发明内容
本发明要解决的问题
然而,随着光接收像素变得更细,电荷收集效率降低。
因此,本公开提出了能够提高电荷收集效率的光接收元件、成像元件和成像装置。
问题的解决方案
根据本公开,提供了一种光接收元件。该光接收元件包括传感器基板和电路板。传感器基板设置有光接收区域、一对电压施加电极以及入射面电极。光接收区域将入射光光电转换为信号电荷。该对电压施加电极交替地施加电压以在光接收区域中生成对信号电荷进行时间划分并且将信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。入射面电极设置在光接收区域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地电位的电压。电路板设置在传感器基板的与光的入射面相对的表面上。电路板设置有处理在电荷累积电极中累积的信号电荷的像素晶体管。
附图说明
图1是示出根据本公开的作为光接收元件的示例的固态成像元件的配置示例的示图。
图2是示出根据本公开的像素的配置示例的示图。
图3是示出根据本公开的像素的信号提取部分的一部分的配置示例的示图。
图4是示出根据本公开的像素的电路配置示例的示图。
图5是示出根据本公开的电路板与传感器基板之间的连接模式的示图。
图6是根据本公开的入射面电极和像素分离区域的说明图。
图7A是示出根据本公开的像素分离区域的配置示例的示图。
图7B是示出根据本公开的像素分离区域的配置示例的示图。
图7C是示出根据本公开的像素分离区域的配置示例的示图。
图8是根据本公开的第一修改的像素分离区域的说明图。
图9是根据本公开的第二修改的像素分离区域的说明图。
图10是示出根据本公开的像素分离区域的布置示例的示图。
具体实施方式
在下文中,将基于附图详细地描述本公开的实施方式。注意,在以下实施方式中的每一个中,相同部分标注相同参考标号,并省略重复说明。
[1.固态成像元件的配置示例]
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180008885.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的