[发明专利]光接收元件、成像元件和成像装置在审
| 申请号: | 202180008885.8 | 申请日: | 2021-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN114930538A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 井本努 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接收 元件 成像 装置 | ||
1.一种光接收元件,包括:
传感器基板,设置有:
光接收区域,将入射光光电转换为信号电荷;
一对电压施加电极,电压被交替地施加至所述一对电压施加电极以在所述光接收区域中生成对所述信号电荷进行时间划分并且将所述信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场;以及
入射面电极,设置在所述光接收区域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地电位的电压;以及
电路板,设置有:
像素晶体管,设置在所述传感器基板的与所述光的所述入射面相对的表面上并且处理在所述电荷累积电极中累积的所述信号电荷。
2.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中,所述入射面电极是通过层压在所述光的所述入射面上的负固定电荷膜形成在所述入射面上的空穴累积层。
3.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中,所述入射面电极是所述光的所述入射面掺杂有P型杂质的P型导电层。
4.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中,所述入射面电极是层压在所述光的所述入射面上的无机电极膜。
5.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中,所述入射面电极是具有透光性的膜厚度并且层压在所述光的所述入射面上的金属膜。
6.根据权利要求1所述的光接收元件,进一步包括:
像素分离区域,设置在以矩阵排列的多个所述光接收区域之间并且电分离相邻的所述光接收区域。
7.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域从所述光的所述入射面到达朝向所述光接收区域中的与所述入射面相对的表面的中间部分。
8.根据权利要求7所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域针对所述光接收区域中的每一个对多个所述光接收区域以矩阵排列的像素阵列进行划分,并且使所述像素分离区域电浮置。
9.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域从所述光的所述入射面到达所述传感器基板的与所述入射面相对的表面。
10.根据权利要求9所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域设置在以矩阵排列的平面图中具有矩形形状的多个所述光接收区域中的拐角部分处,并且连接所述入射面电极与接地布线或负电压生成电路。
11.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域由绝缘体构成。
12.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域由表面上设置有绝缘膜的金属构成。
13.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中,所述像素分离区域由表面上设置有负固定电荷膜的绝缘体构成。
14.一种成像元件,包括:
传感器基板,设置有:
像素阵列,在所述像素阵列中,将入射光光电转换为信号电荷的多个光接收区域以矩阵排列;
一对电压施加电极,针对所述光接收区域中的每一个,电压被交替地施加至所述一对电压施加电极以在所述光接收区域中生成对所述信号电荷进行时间划分并且将所述信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场;以及
入射面电极,设置在所述光接收区域中的光的入射表面上并且被施加等于或小于接地电位的电压;以及
电路板,设置有:
像素晶体管,设置在所述传感器基板的与所述光的所述入射面相对的表面上并且处理在所述电荷累积电极中累积的所述信号电荷。
15.一种成像装置,包括:
成像光学系统;
传感器基板,设置有:
像素阵列,在所述像素阵列中,将入射光光电转换为信号电荷的多个光接收区域以矩阵排列;
一对电压施加电极,针对所述光接收区域中的每一个,电压被交替地施加至所述一对电压施加电极以在所述光接收区域中生成对所述信号电荷进行时间划分并且将所述信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场;以及
入射面电极,设置在所述光接收区域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地电位的电压;以及
电路板,设置有:
像素晶体管,设置在所述传感器基板的与所述光的所述入射面相对的表面上并且处理在所述电荷累积电极中累积的所述信号电荷。
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