[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202180008697.5 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN114946013A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 若松孝彬 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
一种基板处理装置,其对基板进行处理,其中,该基板处理装置具有:基板输送机构,其保持所述基板的一面并进行输送;以及清洗机构,其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方,对所述基板的另一面进行清洗,所述清洗机构具有:吸水性辊,其构成为利用驱动机构旋转自如,至少在周面的表层具备吸水层;清洗液喷嘴,其向所述吸水性辊供给清洗液;以及挤压辊,其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置,构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如,通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触,从而对所述基板的另一面进行清洗。
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开了如下内容:在具备对磨削后的被加工物进行清洗的清洗辊的磨削装置中,根据吸附保持并输送被加工物的吸盘与清洗辊之间的相对位置来变更清洗辊的旋转方向。清洗辊配设于利用吸盘送出被加工物的送出路径上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国日本特开2005-302831号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的技术适当地对磨削处理前或磨削处理后的基板进行清洗。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是一种基板处理装置,其对基板进行处理,其中,该基板处理装置具有:基板输送机构,其保持所述基板的一面并进行输送;以及清洗机构,其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方,对所述基板的另一面进行清洗,所述清洗机构具有:吸水性辊,其构成为利用驱动机构旋转自如,至少在周面的表层具备吸水层;清洗液喷嘴,其向所述吸水性辊供给清洗液;以及挤压辊,其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置,构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如,通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触,从而对所述基板的另一面进行清洗。
发明的效果
根据本发明,能够适当地对磨削处理前或磨削处理后的基板进行清洗。
附图说明
图1是表示重合晶圆的结构例的侧视图。
图2是表示本实施方式的晶圆处理系统的结构的概略的俯视图。
图3是表示晶圆处理的主要的工序的流程图。
图4是表示本实施方式的背面清洗装置的结构例的剖视图。
图5是表示本实施方式的背面清洗装置的结构例的俯视图。
图6是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的流程图。
图7是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的说明图。
图8是表示本实施方式的背面清洗的主要的工序的说明图。
图9是表示另一实施方式的背面清洗装置的结构例的剖视图。
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中,进行有如下操作:针对在表面形成有多个电子电路等器件的基板(以下称作“第1晶圆”),对该第1晶圆的背面进行磨削而使第1晶圆薄化。然后,若直接对该薄化了的第1晶圆进行输送或进行后续的处理,则可能会在第1晶圆产生翘曲、裂纹。因此,为了加强第1晶圆,例如进行有如下操作:将第1晶圆粘贴于支承基板(以下称作“第2晶圆”),而形成重合基板(以下称作“重合晶圆”)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造