[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202180008697.5 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN114946013A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 若松孝彬 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其对基板进行处理,其中,
该基板处理装置具有:
基板输送机构,其保持所述基板的一面并进行输送;以及
清洗机构,其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方,对所述基板的另一面进行清洗,
所述清洗机构具有:
吸水性辊,其构成为利用驱动机构旋转自如,至少在周面的表层具备吸水层;
清洗液喷嘴,其向所述吸水性辊供给清洗液;以及
挤压辊,其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置,构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如,
通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触,从而对所述基板的另一面进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述清洗机构在所述清洗液喷嘴的下方沿着所述清洗液的喷射方向具备遮蔽板。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述清洗机构在所述清洗液喷嘴的上方沿着所述清洗液的喷射方向具备遮蔽板。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有盖体,该盖体以收纳所述清洗机构的方式设置,并在该盖体的上表面形成有开口部,
与所述基板的另一面接触的所述吸水性辊的上部自所述开口部突出。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装具备排气机构,该排气机构对所述盖体的内部进行排气。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述清洗机构具备流体喷嘴,该流体喷嘴设于所述基板的输送路径中的比所述吸水性辊靠上游侧的位置,并向所述另一面供给流体。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述吸水性辊的利用所述驱动机构旋转的旋转方向相对于所述基板的输送方向为顺向。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述吸水性辊在长度方向上具有所述基板的直径以上的大小。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的基板处理装置,其中,
基板输送机构利用吸附保持面吸附保持所述基板的一面,
所述清洗机构对所述吸附保持面进行清洗。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述基板输送机构构成为使所述吸附保持面相对于所述清洗机构在接近远离方向上移动自如。
11.一种基板处理方法,其对磨削后的基板进行处理,其中,
该基板处理方法包含以下步骤:
输送一面被基板输送机构保持着的所述基板;以及
利用清洗机构清洗所输送的所述基板的另一面,
所述另一面的清洗包含以下步骤:
自清洗液喷嘴向利用驱动机构旋转的吸水性辊供给清洗液;
将挤压辊向被供给了清洗液的所述吸水性辊按压,而使所述吸水性辊的吸水量降低;以及
使吸水量降低了的所述吸水性辊与所述另一面接触。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中,
在所述吸水性辊吸收了来自所述清洗液喷嘴的所述清洗液之后,利用驱动机构将所述挤压辊向所述吸水性辊按压。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法,其中,
利用来自所述清洗液喷嘴的清洗液的供给,清洗与所述另一面接触了的所述吸水性辊,
将挤压辊向被供给了清洗液的所述吸水性辊按压,而使所述吸水性辊的吸水量降低,
再次使所述吸水性辊与所述另一面接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造