[发明专利]内壁构件的再生方法

说明书

设于进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件(40)具备：基材(41)；具有端部(EP1)的阳极氧化膜(42a)；和具有端部(EP2)的喷镀膜(42b)。基材(41)具有表面(FS1)、位于比表面(FS1)高的位置的表面(FS2)以及侧面(SS1)。内壁构件(40)的再生方法具有如下工序：(a)将从喷镀膜(42b)露出的阳极氧化膜(42a)用掩蔽件(100)覆盖；(b)通过对喷镀膜(42b)进行喷砂处理，来除去表面(FS2)上的喷镀膜(42b)，留下表面(FS1)上以及侧面(SS1)上的喷镀膜(42b)的一部分，以使得未被掩蔽件(100)覆盖的阳极氧化膜(42a)被喷镀膜(42b)覆盖；(c)在留下的喷镀膜(42b)上以及表面(FS2)上通过喷镀法形成新的喷镀膜(42b)；(d)将掩蔽件(100)拆下。

技术领域

本发明涉及内壁构件的再生方法，特别涉及设置在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。

背景技术

过去，在加工半导体晶片、制造电子器件等的工序中，通过层叠于半导体晶片的表面的多个膜层来形成集成电路。在该制造工序中，需要微细的加工，运用利用了等离子的蚀刻处理。在这样的通过等离子蚀刻处理进行的加工中，伴随电子器件的高集成化，要求高的精度以及高的成品率。

用于进行等离子蚀刻处理的等离子处理装置具备在真空容器的内部形成等离子的处理室，在处理室的内部收纳半导体晶片。构成处理室的内壁的构件由于与强度以及制造成本相关的理由，通常将铝或不锈钢等金属制的材料作为基材。进而，该处理室的内壁在等离子处理时，与等离子接触，或面向等离子。因而，在构成处理室的内壁的构件中，在基材的表面配置等离子耐性高的皮膜。通过上述皮膜来从等离子保护基材。

作为形成这样的皮膜的技术，过去以来，已知通过所谓的喷镀法形成喷镀膜的方法。在喷镀法中，在大气或设为给定的压力的气体气氛中形成等离子，将皮膜用的材料的粒子投入到等离子，由此形成半熔融状态的粒子。将该半熔融状态的粒子喷附或照射到基材的表面，由此形成喷镀膜。

作为喷镀膜的材料，例如使用氧化铝、氧化钇或氟化钇能那样的陶瓷材或包含它们的材料。通过用这样的皮膜(喷镀膜)覆盖基材的表面来构成处理室的内壁的构件在长期间抑制了等离子导致的消耗，抑制了等离子与构件的表面之间的相互作用的量以及性质的变化。

例如在专利文献1中公开了具备这样的具有等离子耐性的皮膜的处理室的内壁的构件。在专利文献1中，作为上述皮膜的示例，公开了氧化钇。

另一方面，存在如下问题：喷镀膜的表面在长期间的使用后劣化，喷镀膜的粒子由于与等离子的相互作用而被消耗，喷镀膜的膜厚减少。若基材的表面在处理室的内部露出，构成基材的金属材料的粒子就会附着到在处理室的内部被处理的晶片，有可能在晶片产生污染。因而，在具有通过使用而劣化、损伤或消耗的喷镀膜的构件的表面进行以下操作：再度通过喷镀法将喷镀膜再生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2004-100039号公报

发明内容

发明要解决的课题

但在现有技术中，由于关于下述的点的考虑并不充分，因此产生各种问题。

例如在现有技术中，在再度通过喷镀法在劣化的喷镀膜上将喷镀膜再生的情况下，难以在再喷镀的前后将喷镀膜的厚度保持固定。

此外，在基材是铝或其合金的情况下，在基材的表面设有通过阳极氧化处理形成的耐蚀铝皮膜(阳极氧化膜)和通过喷镀法形成的皮膜(喷镀膜)。然后，在阳极氧化膜与喷镀膜之间形成边界。即，在阳极氧化膜上形成喷镀膜，以使其覆盖阳极氧化膜的端部。在该情况下，由于在除去劣化的喷镀膜时，被喷镀膜覆盖的阳极氧化膜也被除去，因此阳极氧化膜的端部的位置后退。因而，由于每当重复进行喷镀膜的再生，阳极氧化膜的端部的位置就会后退，因此阳极氧化膜的面积减少。