[发明专利]内壁构件的再生方法

权利要求书

1.一种内壁构件的再生方法，是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述内壁构件具备：

基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；

阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上，且具有位于所述第1侧面上的第1端部；和

第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部，

所述内壁构件的再生方法具有如下工序：

(a)将从所述第1喷镀膜露出的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；

(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理来除去所述第2表面上的所述第1喷镀膜，并且留下所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述第1喷镀膜的一部分，以使得未被所述掩蔽件覆盖的所述阳极氧化膜被所述第1喷镀膜覆盖；

(c)在所述(b)工序后，在留下的所述第1喷镀膜上以及所述第2表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；

(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。

2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

在所述(b)工序中，通过从自所述第2表面前往所述第1表面且相对于所述第1表面以给定的角度倾斜的方向投射喷砂粒子，来进行所述喷砂处理。

3.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

在所述(a)工序中，所述掩蔽件与所述第2端部相接。

4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述第2喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第3端部，

所述第3端部的位置与所述第1喷镀膜的所述第2端部的位置一致。

5.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述掩蔽件由树脂带构成。

6.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述第1喷镀膜以及所述第2喷镀膜由相同材料构成。

7.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述基材形成为在内周与外周之间具有给定的厚度的圆筒形状，

所述第1表面、所述第1侧面以及所述第2表面设于所述基材的外周侧。

8.一种内壁构件的再生方法，是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法，其特征在于，

所述内壁构件具备：

基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；

阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上，且具有位于所述第1表面上的第1端部；和

第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部，

所述内壁构件的再生方法具有如下工序：

(a)将从所述第1喷镀膜露出且至少形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；

(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理，来除去所述第1表面上的所述第1喷镀膜；

(c)在所述(b)工序后，在从所述掩蔽件露出的所述第1表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；

(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。

9.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，

在所述(a)工序中，所述掩蔽件与所述第2端部相接。