[发明专利]处理装置、显示装置、半导体器件的制造方法及程序在审
| 申请号: | 202180008253.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN114946011A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
| 发明(设计)人: | 奥野正则;川崎润一;森真一朗;城宝泰宏;山崎智美 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;刘伟志 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 显示装置 半导体器件 制造 方法 程序 | ||
1.一种处理装置,包括具有存储部的装置控制器,该存储部至少存储装置数据和警报分析表格,其中,该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示各控制器基于所述传感信息检测到的障碍的警报,该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目,所述处理装置的特征在于,
所述装置控制器构成为,
若检测到所述障碍则输出所述警报,
能够确定与所述分析项目相对应的监控数据,并显示所述警报的发生历史和包含警报发生时的与所述分析项目相对应的监控数据的收集历史。
2.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为能够在所述警报发生时存在多个与所述警报相关联的装置数据的情况下,将超过了预先设定的阈值的装置数据确定为警报发生的主要原因。
3.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为能够在所述警报发生时在与所述警报相关联的装置数据中没有超过预先设定的阈值的装置数据的情况下,将接近所述阈值的装置数据确定为警报发生的主要原因。
4.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为能够受理表示所述警报中的由排气控制不良引起的警报的原因分析请求,作为对所述警报的原因进行分析的分析项目,获取包含与用于排气的泵有关的传感信息的监控数据,并显示包含所述传感信息的监控数据。
5.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
所述警报分析表格还包括用于识别所述警报的警报ID、表示用于对该警报ID所示的警报的原因进行分析的分析项目的数量的项目数、和用于确定该分析项目的分析项目编号,
所述装置控制器构成为能够受理包含所述警报ID的所述警报的原因分析请求,以所述警报ID对所述警报分析表格进行检索,获取所述项目数及所述分析项目编号,并确定成为所述警报的原因的项目的候选。
6.根据权利要求5所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为能够获取以所述项目数定义的数量的与以所述分析项目编号确定出的分析项目相对应的监控数据。
7.根据权利要求5所述的处理装置,其特征在于,
所述存储部还存储对与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理进行定义的警报原因追究表格,
所述装置控制器构成为能够基于与所述警报ID相对应的所述分析项目编号获取所述原因分析处理。
8.根据权利要求7所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为能够以与所述警报ID相对应的所述项目数,反复获取与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理。
9.根据权利要求6所述的处理装置,其特征在于,
所述装置控制器构成为还能够获取与确定出的所述分析项目的候选相对应的监控数据,按每个确定出的所述分析项目的候选,将所获取的监控数据与预先决定的阈值进行比较,在所述警报的原因中决定某个序位,并将所述监控数据与所述序位一起显示于显示画面。
10.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
所述警报分析表格还包括用于识别所述警报的警报ID、和用于确定对该警报ID所示的警报的原因进行分析的分析项目的分析项目编号,
所述存储部还存储按每个所述警报ID预先创建的多个故障树主要原因图,
所述装置控制器构成为,受理所述警报的原因分析请求,从所述存储部对与所述原因分析请求中包含的所述警报ID相对应的所述故障树主要原因图进行检索,
能够基于检索出的所述故障树主要原因图,创建所述警报分析表格和对与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理进行定义的警报原因追究表格。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





