[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202180007987.8 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN114902389A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 伊藤太一 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/607;H05K1/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周爽;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
本发明提供一种防止引线框架的脚部的接合部位的错位的半导体装置。半导体装置还具备垂直部(64a)、以及分支部(64b、64c)。垂直部(64a)相对于电路图案(42)沿垂直方向延伸。分支部(64b)从垂直部(64a)的靠电路图案(42)侧的下端部的分叉部(64a1)向预定方向弯曲并相对于电路图案(42)而平行地延伸,从而与电路图案(42)接合。分支部(64c)从分叉部(64a1)向预定方向的相反方向弯曲并相对于电路图案(42)而平行地延伸,从而与电路图案(42)接合。在这样的脚部(64)中,垂直部(64a)的正面侧、背面侧分别被分支部(64b、64c)可靠地支承。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体装置包括例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)这样的半导体元件。半导体装置具备散热板、以及分别接合在该散热板上且设置有半导体元件的陶瓷电路基板。此外,在半导体装置中,各陶瓷电路基板的电路图案分别通过引线框架而电连接。引线框架具有主体部、与主体部连接的多个外部连接端子、以及与主体部连接的多个脚部。主体部以在多个陶瓷电路基板上通过的方式延伸。外部连接端子与外部设备等电连接。外部连接端子对主体部输入电流或者向外部输出使主体部导通的电流。脚部在侧视时呈L字形。这样的脚部沿着在多个陶瓷电路基板上通过的主体部而分别与主体部连接。脚部与各陶瓷电路基板的电路图案电接合,并且将各陶瓷电路基板与主体部电连接。此时,脚部通过超声波接合而与陶瓷电路基板的电路图案接合。这样的引线框架由例如铜或铜合金构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2019/230292号
发明内容
技术问题
引线框架的脚部通过超声波接合而与主体部的电路图案接合。在接合时,脚部有时会以根据振动方向从接合预定部位错位的方式被接合。若从多个脚部中的位于主体部的一端部的脚部沿着主体部的延伸方向依次进行脚部的超声波接合,则脚部相对于电路图案的错位随着向主体部的一端部的相反一侧的另一端侧而变大。如此地接合了脚部的引线框架相对于陶瓷电路基板而尺寸公差变大,有时不能够制造半导体装置。
本发明是鉴于这样的问题而做出的,其目的在于提供一种防止引线框架的脚部的接合部位的错位的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术方案
根据本发明的一个观点,提供一种半导体装置,所述半导体装置具备:半导体芯片;绝缘电路基板,其具有绝缘板、以及设置于所述绝缘板且与所述半导体芯片电连接的电路图案;以及布线部件,其在一端包括与所述电路图案接合的脚部,并在另一端具备外部连接端子,所述脚部具备:垂直部,其相对于所述电路图案沿竖直方向延伸;第一分支部,其从所述垂直部的靠所述电路图案侧的下端部的分叉部起向预定方向弯曲并相对于所述电路图案平行地延伸,从而与所述电路图案接合;以及第二分支部,其从所述分叉部起向所述预定方向的相反方向弯曲并相对于所述电路图案平行地延伸,从而与所述电路图案接合。
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