[发明专利]存储器器件及其编程操作

说明书

在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器串，存储器串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；以及外围电路，外围电路耦合到存储器串。外围电路被配置为：响应于在对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。外围电路还被配置为在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年5月19日提交的名为“CONTRL METHOD AND CONTROLLER OFPROGRAM SUSPENDING AND RESUMING FOR MEMORY”的国际专利申请PCT/CN2020/091037号的优先权权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

背景技术

本公开涉及存储器器件及其操作方法。

闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。对于NAND闪存存储器，可以在块级执行擦除操作，并且可以在页级执行编程操作或读取操作。

发明内容

在一个方面中，一种存储器器件包括：存储器串，存储器串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；以及外围电路，外围电路耦合到存储器串。外围电路被配置为：响应于在对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。外围电路还被配置为在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。

在另一方面中，一种系统包括被配置为存储数据的存储器器件、耦合到存储器器件的存储器控制器以及被配置为将系统耦合到主机的连接器。存储器器件包括：存储器串，存储器串包括DSG晶体管、多个存储器单元和SSG晶体管；以及外围电路，外围电路耦合到存储器串。外围电路被配置为：发起对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作；在编程操作期间接收中断命令。外围电路还被配置为响应于接收到中断命令，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。外围电路还被配置为在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。存储器控制器被配置为：将编程命令传输到外围电路，以发起编程操作；并且在编程命令之后将中断命令传输到外围电路。

在又一方面中，提供了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括存储器串，存储器串包括DSG晶体管、多个存储器单元和SSG晶体管。发起对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作。在编程操作期间接收中断命令。响应于接收到中断命令，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。

附图说明

并入本文并且形成说明书的一部分的附图示出了本公开的方面，并且与描述一起进一步用于解释本公开的原理并且使相关领域的技术人员能够制成和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的系统的块图。

图2A示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的存储器卡的示图。

图2B示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的固态驱动器(SSD)的示图。

图3示出了根据本公开的一些方面的包括外围电路的存储器器件的示意图。

图4A和图4B分别示出了根据本公开的一些方面的包括NAND存储器串的存储器单元阵列的截面的侧视图和平面图。

图5示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和外围电路的存储器器件的块图。

图6示出了响应于中断而暂停的编程操作的方案。