[发明专利]存储器器件及其编程操作

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

存储器串，所述存储器串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；以及

外围电路，所述外围电路耦合到所述存储器串，并且被配置为：

响应于在对所述多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通所述漏极选择栅极晶体管或所述源极选择栅极晶体管中的至少一个；并且

在接通所述漏极选择栅极晶体管或所述源极选择栅极晶体管中的所述至少一个之后，暂停所述编程操作。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为在接通所述漏极选择栅极晶体管或所述源极选择栅极晶体管中的所述至少一个的同时，接通所述选择存储器单元和所述多个存储器单元中的未选择存储器单元，所述未选择存储器单元在所述选择存储器单元与所述漏极选择栅极晶体管或所述源极选择栅极晶体管中的所述至少一个之间。

3.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中，在所述漏极选择栅极晶体管或所述源极选择栅极晶体管中的所述至少一个被接通时，所述存储器串的漏极或源极中的至少一个接地。

4.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为响应于由所述中断触发的另一操作的完成而恢复所述编程操作。

5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述另一操作包括读取操作。

6.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中，所述外围电路被配置为接通所述源极选择栅极晶体管。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括：

选择字线，所述选择字线耦合到所述选择存储器单元；以及

源极选择栅极线，所述源极选择栅极线耦合到所述源极选择栅极晶体管，

其中，所述外围电路包括字线驱动器，所述字线驱动器被配置为：

在所述选择字线上施加编程电压，以对所述选择存储器单元进行编程；并且

在所述选择字线上施加所述编程电压之后，在所述源极选择栅极线上施加源极选择栅极电压，以接通所述源极选择栅极晶体管。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，还包括未选择字线，所述未选择字线耦合到所述多个存储器单元中的未选择存储器单元，

其中，所述字线驱动器还被配置为在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，并且在所述源极选择栅极线上施加所述源极选择栅极电压的同时，在所述未选择字线上施加通过电压，以接通所述未选择存储器单元。

9.根据权利要求7或8所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为：

对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；

在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电之后，在所述选择字线上施加通过电压，以接通所述选择存储器单元；并且

在所述选择字线上施加所述通过电压的同时，在所述源极选择栅极线上施加所述源极选择栅极电压。

10.根据权利要求7或8所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为：

对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；并且

在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电的同时，在所述源极选择栅极线上施加所述源极选择栅极电压。

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为在放电的编程电压仍然接通所述选择存储器单元时，施加所述源极选择栅极电压。

12.根据权利要求7或8所述的存储器器件，其中，在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，发生所述中断。