[发明专利]旋转轴密封装置及使用其的半导体基板处理装置在审

专利信息
申请号: 202180001972.0 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN114174701A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 李喜张 申请(专利权)人: 世利可株式会社
主分类号: F16J15/16 分类号: F16J15/16;F16J15/18;F16J15/24;F16J15/447;H01L21/67
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑红梅
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 旋转轴 密封 装置 使用 半导体 处理
【说明书】:

发明公开一种旋转轴密封装置。根据本发明一实施例的选择轴密封装置,其被安装在用于旋转供容纳半导体基板的半导体加载单元并处理所述半导体基板的半导体基板处理装置,包括:中空的外壳,其安装在所述半导体基板处理装置;旋转轴,其容纳在所述外壳内,并连接到所述半导体加载单元以将旋转力传递到所述半导体加载单元;轴承,其支撑所述旋转轴,以使所述旋转轴可在所述外壳内旋转;密封部,其具有密封所述外壳与所述旋转轴之间的间隙的多个密封件;以及动力传递部,其安装在所述旋转轴的一端,并将旋转力传递到所述旋转轴。

技术领域

本发明涉及一种旋转轴密封装置及使用其的半导体基板处理装置,以及涉及一种用于防止流体在旋转轴与外壳之间泄漏的转轴轴密封装置及具有其的半导体基板处理装置。

背景技术

半导体装置用于大规模生产集成电路。为了在半导体晶片或玻璃等基板上沉积预定厚度的薄膜,使用溅射等物理气相沉积(PVD)和利用化学反应的化学气相沉积(CVD)。化学气相沉积方法包括大气压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体有机化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD)等。另外,用于基板热处理的炉(Furnace)设备用于半导体晶片的成膜、氧化、退火和杂质扩散处理。

在这种半导体设备中使用真空压力设备的旋转轴密封装置。旋转轴密封装置设置在面对高压区和低压区并在它们之间旋转的外周面上,以将高压区和低压区彼此密封。

传统的用于真空压力设备的密封装置包括外壳及贯通所述外壳被耦合的旋转轴。所述旋转轴面向高压区与低压区,所述外壳位于所述高压区与低压区的交界处。此外,所述外壳与所述旋转轴之间设有用于密封的密封件。用于密封的所述密封件用于密封所述外壳与所述旋转轴之间的间隙,因此,所述旋转轴与所述密封件之间也会产生摩擦。

在这种密封装置中,必须防止异物流入半导体真空压力设备,或者相反地,防止来自所述半导体真空压力设备的异物流入。

发明内容

要解决的技术问题

本发明实施例的目的在于提供一种旋转轴密封装置及使用其的半导体基板处理装置,其不需要单独的润滑油供给,由此可将结构变得非常简单。

另外,本发明实施例的目的在于使旋转轴密封装置的旋转轴的振动最小化,防止来自半导体基板处理装置的颗粒等异物流入所述旋转轴密封装置内部,并防止来自所述旋转轴密封装置的异物泄露到所述半导体基板处理装置。

在实施例中要解决的问题并不限于上述问题,本领域技术人员可以从下面的描述中清楚地理解本文未提及的其他问题。

解决问题的技术方法

根据本发明一实施例的旋转轴密封装置,其被安装在用于旋转供容纳半导体基板的半导体加载单元并处理所述半导体基板的半导体基板处理装置,可以包括:中空的外壳,其安装在所述半导体基板处理装置;旋转轴,其容纳在所述外壳内,并连接到所述半导体加载单元以将旋转力传递到所述半导体加载单元;轴承,其支撑所述旋转轴,以使所述旋转轴可在所述外壳内旋转;密封部,其具有被设置在所述外壳内的多个密封件,以密封所述外壳与所述旋转轴之间的间隙;以及动力传递部,其安装在所述旋转轴的一端,并将旋转力传递到所述旋转轴。

并且,所述密封部可以设置在所述轴承的上部,以便更靠近与所述半导体基板处理装置耦合的所述外壳的凸缘部,并且,所述动力传递部可以设置在所述轴承的下部。

并且,所述密封部包括:一个以上的真空密封件,其用于保持所述半导体基板处理装置的真空;以及一个以上的弹性密封件,其用于支撑所述旋转轴并抑制振动,并且,所述真空密封件及所述弹性密封件可以由塑料材料制成,所述弹性密封件可以比所述真空密封件具有更大的弹力。

并且,所述真空密封件可以是在环形密封件的内圆周上形成有弧形唇的唇形密封件,所述弹性密封件可以是将弹性构件插入密封体内部。

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