[发明专利]一种低损耗运算电路及其运行方法

权利要求书

1.一种低损耗运算电路，包括：

n个运算单元(AU₁，AU₂，……AU_n)，n为大于1的整数，其中每个运算单元(AU₁)包括：

第一MOSFET，其栅极与分配给该运算单元(AU₁)的存储单元的输出信号(W₁)连接，其漏极和源极中的第一个接地，其漏极和源极中的第二个与第二MOSFET的漏极和源极中的第一个连接；

第二MOSFET，其栅极与分配给该运算单元(AU₁)的第一输入信号(INL₁)连接，其漏极和源极中的第二个与低损耗运算电路的输出信号线(OUT)连接；

第三MOSFET，其栅极与分配给该运算单元(AU₁)的存储单元的输出信号的反相(WB₁)连接，其漏极和源极中的第一个接地(GND)，其漏极和源极中的第二个与第四MOSFET的漏极和源极中的第一个连接；以及

第四MOSFET，其栅极与分配给该运算单元(AU₁)的第二输入信号(INR₁)连接，其漏极和源极中的第二个与输出信号线(OUT)连接；以及

复位MOSFET，其栅极与时序信号(φ_PRE)连接，其漏极和源极中的第一个与供电电压(VDD)连接，其漏极和源极中的第二个与输出信号线(OUT)连接。

2.根据权利要求1所述的低损耗运算电路，其中第一至第四MOSFET为n型MOSFET并且复位MOSFET为p型MOSFET；或者

其中第一至第四MOSFET为p型MOSFET并且复位MOSFET为n型MOSFET。

3.根据权利要求1所述的低损耗运算电路，其中分配给该运算单元(AU₁)的第一输入信号(INL₁)和/或第二输入信号(INR₁)的电平被设置为下列各项中的一个或多个：

第二输入信号(INR₁)为低电平，其中低损耗运算电路被配置为执行输出信号(W₁)与第一输入信号(INL₁)的与非(NAND)运算；

第一输入信号(INL₁)为低电平，其中低损耗运算电路被配置为执行输出信号(W₁)与第二输入信号(INR₁)的反相的或(OR)运算；以及

第一输入信号(INL₁)为第二输入信号(INR₁)的反相，其中低损耗运算电路被配置为执行输出信号(W₁)与第二输入信号(INR₁)的同或(XNOR)运算。

4.根据权利要求1所述的低损耗运算电路，其中复位MOSFET与电阻串联。

5.根据权利要求1所述的低损耗运算电路，其中所述低损耗运算电路包括第一运算单元和第二运算单元，其中时序信号(φ_PRE)的电平以及第一和第二运算单元的第一输入信号(INL₁，INL₂)和第二输入信号(INR₁，INR₂)的电平被设置为使得:

在第一周期的第一时间段中，复位MOSFET导通，使得与输出信号线(OUT)连接的输出节点被充电到高电平；

在第一周期的第二时间段中，复位MOSFET截止，并且第二运算单元的第二和第四MOSFET截止，并且第一运算单元执行相应运算并将第一运算结果输出到输出信号线(OUT)；

在第二周期的第一时间段中，复位MOSFET导通，使得与输出信号线(OUT)连接的输出节点被充电到高电平；以及

在第一周期的第二时间段中，复位MOSFET截止，并且第一运算单元的第二和第四MOSFET截止，并且第二运算单元执行相应运算并将第二运算结果输出到输出信号线(OUT)。