[发明专利]三维存储器件及其形成方法

说明书

提供了一种三维(3D)存储器件。在示例中，该3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。多个支撑结构组被布置在第一方向上，并且支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。

背景技术

本公开涉及三维(3D)存储器件和用于形成3D存储器件的方法，所述3D存储器件具有改进的稳定性的导电层并且更不易于受到字线触点与支撑结构之间的重叠的影响。

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制作工艺使平面存储单元缩小到了更小的尺寸。但是，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制作技术变得更具挑战性且成本更高。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列以及用于控制往返于存储阵列的信号的外围器件。

发明内容

提供了具有改进的支撑结构和字线触点的设计的3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施方式。

在一个示例中，3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。所述多个支撑结构组在第一方向上布置。支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。

在另一个示例中，3D存储器件包括：在阶梯上在第一方向上按行对准的多个触点；以及在第一方向上按多个行对准的多个支撑结构。该行触点和该多行支撑结构在垂直于第一方向的第二方向上彼此分开。触点中的每个被支撑结构组围绕，并且支撑结构组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。

在其他的示例中，用于形成3D存储器件的方法包括：形成在衬底上方交错的多个第一层和多个第二层的堆叠结构；以及在堆叠结构的阶梯区中形成阶梯。该阶梯包括多个台阶。该方法还包括：在阶梯中形成多个支撑结构组；以及在台阶中的相应的台阶上形成触点。多个支撑结构组均包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。

附图说明

并入本文并形成说明书的一部分的附图说明了本公开的实施方式并与说明书一起进一步用以解释本公开的原理，并使相关领域中的技术人员能够制作和使用本公开。

图1示出了具有支撑结构和字线触点的3D存储器件的顶视图。

图2A示出了根据本公开的一些实施方式的具有支撑结构和字线触点的示例性3D存储器件的顶视图。

图2B示出了根据本公开的一些实施方式的具有支撑结构和字线触点的另一示例性3D存储器件的顶视图。

图2C示出了根据本公开的一些实施方式的具有支撑结构和字线触点的另一示例性3D存储器件的顶视图。

图3A示出了根据本公开的一些实施方式的示例性3D存储器件的布局。

图3B示出了根据本公开的一些实施方式的具有支撑结构和字线触点的示例性3D存储器件的截面图。

图3C示出了根据本公开的实施方式的具有支撑结构和字线触点的示例性3D存储器件的电子显微镜(EM)图像。

图4A-4D示出了根据本公开的一些实施方式的在示例性制作工艺的各个阶段处的3D存储器件的截面图。

图5示出了根据本公开的一些实施方式的用于形成具有支撑结构和字线触点的3D存储器件的示例性制作工艺的流程图。

将参考附图描述本公开的实施方式。

具体实施方式