[发明专利]三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括阶梯、穿过所述阶梯的多个支撑结构组以及均被相应的支撑结构组围绕的多个触点，其中：

所述多个支撑结构组被布置在第一方向上，

所述支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，所述三个支撑结构的投影在平行于所述第一方向的平面中形成三角形形状，并且

其中，所述多个触点在所述第一方向上对准，并且，所述多个触点中的每个位于相应的支撑结构组的三个支撑结构形成的三角形内。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述组中的每个组的第一支撑结构在所述第一方向上对准。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述组中的每个组的第二支撑结构和第三支撑结构在所述第一方向上对准。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述组中的每个组中的两个最远的支撑结构之间的距离在约350nm到约500nm的范围内。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述组中的每个组中的所述两个支撑结构之间的最小距离在约300nm到约400nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述触点中的每个到所述组中的支撑结构之间的距离在约150nm到约300nm的范围内。

7.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述三角形形状包括等腰形状。

8.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，还包括在相邻支撑结构组之间的第四支撑结构，其中，在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述第四支撑结构与所述相应的支撑结构组中的所述三个支撑结构中的每个支撑结构之间的距离大于或等于所述第四支撑结构的临界尺寸的一半，并且小于或等于所述第四支撑结构的所述临界尺寸。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，在所述第一方向上，所述第四支撑结构与所述相应的支撑结构组中的所述三个支撑结构中的每个支撑结构之间的另一距离大于或等于所述第四支撑结构的所述临界尺寸的1.5倍，并且小于或等于所述第四支撑结构的所述临界尺寸的2倍。

10.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述第一方向是栅极线狭缝所延伸的方向。

11.根据权利要求10所述的3D存储器件，其中，所述多个支撑结构组在两个相邻栅极线狭缝之间在所述第一方向上按照一对行布置。

12.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述多个支撑结构组布置在第一指状部和与所述第一指状部相邻的第二指状部中，并且第一指状部中的相应组中的所述三个支撑结构中的每个支撑结构在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第二指状部中的另一组中的对应支撑结构对准。

13.一种三维(3D)存储器件，包括：

多个触点，所述多个触点在阶梯上在第一方向上按行对准；以及

多个支撑结构，所述多个支撑结构在所述第一方向上按照多行对准，其中：

所述行的所述触点和所述多行的所述支撑结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此分开；

所述触点中的每个被支撑结构组围绕；并且

所述支撑结构组包括三个支撑结构，其中，所述三个支撑结构的投影在平行于所述第一方向的平面中形成三角形形状，并且所述触点中的每个位于相应的支撑结构组的三个支撑结构形成的三角形内。

14.根据权利要求13所述的3D存储器件，其中

每个支撑结构组中的第一支撑结构位于两个相邻行的支撑结构中的一行中；并且

每个支撑结构组中的第二支撑结构和第三支撑结构位于所述两个相邻行的支撑结构中的另一行中。