[发明专利]用于调整晶片倾斜及聚焦的三电动机配置

说明书

一种系统包含用于测量半导体晶片的第一侧的形状的第一干涉仪、用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪的托盘，及耦合到所述托盘的三个电动机。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。

技术领域

本发明涉及调整晶片测量工具中的晶片倾斜及聚焦。

背景技术

半导体制造包含在半导体晶片上沉积膜层并图案化这些层。这种沉积对晶片施加应力，导致晶片翘曲。随着膜层的数量增加，翘曲增加。对于可具有超过100层的现代三维(3D)半导体存储器，翘曲可为500微米到一毫米或更大。干涉仪可用来测量这种翘曲。然而，对于高翘曲，干涉仪可能无法聚焦到整个晶片上。即使晶片倾斜以允许分别测量不同区域中晶片的形状，但测量整个晶片的形状仍可能是不可行的。

发明内容

因此，需要系统及方法来允许有效地测量半导体晶片的形状。

在一些实施例中，一种系统包含：第一干涉仪，所述第一干涉仪用于测量半导体晶片的第一侧的形状；托盘，所述托盘用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪；及三个电动机，所述三个电动机耦合到所述托盘。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。

所述系统可进一步包含用于测量所述半导体晶片的第二侧的形状的第二干涉仪，且所述托盘可具有将所述半导体晶片的所述第二侧暴露于第二干涉仪的孔。所述托盘将所述半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间。

在一些实施例中，一种方法包含将半导体晶片固持在第一干涉仪与第二干涉仪之间的托盘中。所述半导体晶片的第一侧暴露于所述第一干涉仪，且所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪。第一电动机在第一位置耦合到所述托盘，第二电动机在第二位置耦合到所述托盘，且第三电动机在第三位置耦合到所述托盘。所述方法还包含平移所述第一电动机及所述第二电动机以使所述半导体晶片的倾斜为零，且在所述半导体晶片的所述倾斜为零的情况下，使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中。使所述半导体晶片居中包含平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机。

所述方法可进一步包含，在使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中之后，计算待用于测量多个相应区域中所述半导体晶片的形状的多个倾斜。对于所述多个倾斜，为所述第一、第二及第三电动机计算多组目标位置。所述多组目标位置中的每一组目标位置对应于所述多个倾斜中的某一相应倾斜。将所述第一、第二及第三电动机平移到所述多组目标位置中的每一组目标位置，以在将所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜。在所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜的情况下，在所述多个相应区域的每一相应区域中测量所述半导体晶片的形状。

在一些实施例中，一种系统包含：第一干涉仪；第二干涉仪；托盘，所述托盘用于将半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间，其中所述半导体晶片的第一侧暴露于第一干涉仪且所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪；及耦合到所述托盘的三个电动机。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。所述系统还包含一或多个处理器及存储一或多个程序以供所述一或多个处理器执行的存储器。所述一或多个程序包含用于执行上述方法的指令。

在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读存储媒体存储由干涉仪系统的一或多个处理器的一或多个程序或执行。所述一或多个程序包含用于执行上述方法的指令。

附图说明

为了更好地理解所描述的各种实施方案，应结合以下附图，参考下面的具体实施方式。

图1展示根据一些实施例的用于测量半导体晶片形状的干涉仪系统。