[实用新型]测温装置及半导体机台有效
申请号: | 202123455600.1 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN217158116U | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 陶卓;朱红波;黄家明 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/687 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测温 装置 半导体 机台 | ||
本实用新型提供一种测温装置及半导体机台。其中,测温装置包括:第一运动单元、第二运动单元和温度传感器。第一运动单元交叉叠置于第二运动单元上,且第二运动单元的滑块与第一运动单元的基座相接;温度传感器设置于第一运动单元的滑块上。因此,温度传感器不仅能在第一运动单元的滑块的带动下,沿第一运动单元中的旋转件的轴向运动,还能在第二运动单元的滑块的带动下,沿第二运动单元中的旋转件的轴向运动,则温度传感器能实现在二自由度的平面内移动,相较于定点探测,所述测温装置的探测范围更广,能够检测到晶圆中任意区域的温度情况,可缓解局部温度异常造成产品缺陷的问题,实现全面及时地测控晶圆温度,保证工艺效果,提高产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,特别涉及一种测温装置及半导体机台。
背景技术
目前,半导体制造所使用的腔室工艺设备对于温度的测量和控制模式为单点或多点固定测量和反馈控制。例如,在半导体晶圆晶格修复的快速热退火制程(Rapid ThermalProcess,RTP)中,工艺腔室中采用的是固定的一点或七点测温探测器。如图1所示,腔室内采用七个温度探测器T。七个温度探测器T被固定设置于特定的位置,以在晶圆W旋转的同时,测量晶圆W10上具有设定直径的七个同心圆的温度。如图2所示,晶圆W中七个同心圆即为七个温度探测器T所测量的区域。但晶圆W中各个区域的温度并不均匀,七个测量点并不能很好地代表晶圆W的整体温度情况。即,在其它区域温度发生异常时,很难通过这个七个温度探测器T测量发现。显然,现有的温度测控方式存在较大的局限性,当不在测量区域内的部分区域温度出现异常时,温度探测器很难及时监测到异常温度,极易造成产品质量缺陷,严重影响产品的良率。
因此,亟需一种新的测温装置,以全面监测晶圆的温度,提高产品良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种测温装置及半导体机台,以解决如何扩大晶圆温度探测范围,如何精准测量晶圆温度,以及如何提高产品良率中的至少一个问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种测温装置,包括:第一运动单元、第二运动单元和温度传感器;
所述第一运动单元和所述第二运动单元均包括旋转件、滑块、驱动件和基座;所述旋转件和所述滑块设置于所述基座上,所述驱动件设置于所述基座的一侧端;所述旋转件的一端与所述驱动件连接,所述旋转件的另一端穿过所述滑块,并经所述驱动件驱动所述旋转件转动,以带动所述滑块沿所述旋转件的轴向滑动;
所述第一运动单元交叉叠置于所述第二运动单元上,且所述第二运动单元的滑块与所述第一运动单元的基座相接;所述温度传感器设置于所述第一运动单元的滑块上。
可选的,在所述的测温装置中,所述第一运动单元中的所述旋转件与所述第二运动单元中的所述旋转件相互垂直。
可选的,在所述的测温装置中,所述基座包括底板和垂直设置于所述底板相对两端的支撑板;所述旋转件的一端设置于其中一个所述支撑板中,所述旋转件的另一端穿过另一个所述支撑板,并与所述驱动件相接。
可选的,在所述的测温装置中,所述基座还包括支撑杆,所述支撑杆穿过所述滑块,并与相对两端的所述支撑板固定连接;且所述滑块能够与所述支撑杆相对滑动。
可选的,在所述的测温装置中,所述第二运动件中的所述滑块与所述第一运动单元的底板固定连接。
可选的,在所述的测温装置中,所述固定连接的方式包括焊接、粘接或螺钉接合。
可选的,在所述的测温装置中,两个所述支撑板之间的间距范围为315mm~325mm。
可选的,在所述的测温装置中,所述旋转件为滚珠丝杠,且所述滚珠丝杠旋转一圈,所述滑块移动的距离范围为3mm~6mm。
可选的,在所述的测温装置中,所述驱动件为电机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造