[实用新型]一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路有效

专利信息
申请号: 202123454863.0 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN217590590U 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 黄群 申请(专利权)人: 苏州华翔电气有限公司
主分类号: H02M1/092 分类号: H02M1/092
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 孙路生
地址: 215299 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 防止 瞬间 输出 igbt 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,包括:逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路、增强型PWM信号推挽电路和门极信号阻容滤波输出电路,

所述逻辑+5V受控监测电路与所述施密特触发器整形滤波电路连接;

所述施密特触发器整形滤波电路与所述隔离驱动光耦电路连接;

所述隔离驱动光耦电路与所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接;

所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与所述增强型PWM信号推挽电路连接;

所述增强型PWM信号推挽电路与所述门极信号阻容滤波输出电路连接。

2.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述逻辑+5V受控监测电路包括稳压二极管Z1和三极管Q1,所述稳压二极管Z1一端接地,所述稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和所述三极管Q1的基极连接,所述R1另一端、所述电容C2另一端和所述三极管Q1的发射极与+5V电源连接,所述三极管Q1的集电极与电阻R3一端、电容C3一端和所述施密特触发器整形滤波电路连接,所述电阻R3另一端、电容C3另一端接地。

3.如权利要求2所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述稳压二极管Z1为4.3V稳压二极管Z1。

4.如权利要求3所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述三极管Q1为PNP三极管Q1。

5.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述隔离驱动光耦电路包括331J隔离驱动光耦及其外围电路。

6.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路包括隔离二极管、限流电阻及其外围电路。

7.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,其特征在于,所述增强型PWM信号推挽电路包括PNP三极管、NPN三极管及其外围电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华翔电气有限公司,未经苏州华翔电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123454863.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top