[实用新型]一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路有效
| 申请号: | 202123454863.0 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN217590590U | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
| 发明(设计)人: | 黄群 | 申请(专利权)人: | 苏州华翔电气有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/092 | 分类号: | H02M1/092 |
| 代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 孙路生 |
| 地址: | 215299 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 防止 瞬间 输出 igbt 驱动 电路 | ||
本实用新型提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,逻辑+5V受控监测电路与施密特触发器整形滤波电路连接;施密特触发器整形滤波电路与隔离驱动光耦电路连接;隔离驱动光耦电路与IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接;IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与增强型PWM信号推挽电路连接;增强型PWM信号推挽电路与门极信号阻容滤波输出电路连接。如上,本实用新型的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,保证上电瞬间,不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。
技术领域
本实用新型涉及变频器IGBT驱动电路技术领域,特别是涉及一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路。
背景技术
IGBT作为一种新型的电力电子器件,具有开关速度快、通态压降低,在变频器、逆变器等领域被广泛应用。IGBT驱动电路作为变频器硬件设计的关键技术之一,其稳定可靠性对变频器质量有着举足轻重的作用。目前低压变频器中,IGBT驱动主要采用隔离光耦驱动,由于变频器上电瞬间,驱动电源与控制电源上电时序不确定以及上电瞬间毛刺干扰的存在,可能导致IGBT驱动电路误触发,从而造成IGBT上下桥直通,引起变频器故障甚至炸机等风险。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,用于解决IGBT驱动电路误触发的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,包括:逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路、增强型PWM信号推挽电路和门极信号阻容滤波输出电路,
所述逻辑+5V受控监测电路与所述施密特触发器整形滤波电路连接;
所述施密特触发器整形滤波电路与所述隔离驱动光耦电路连接;
所述隔离驱动光耦电路与所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接;
所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与所述增强型PWM信号推挽电路连接;
所述增强型PWM信号推挽电路与所述门极信号阻容滤波输出电路连接。
作为优选的技术方案,所述逻辑+5V受控监测电路包括稳压二极管Z1和三极管Q1,所述稳压二极管Z1一端接地,所述稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和所述三极管Q1的基极连接,所述R1另一端、所述电容C2另一端和所述三极管Q1的发射极与+5V电源连接,所述三极管Q1的集电极与电阻R3一端、电容C3一端和所述施密特触发器整形滤波电路连接,所述电阻R3另一端、电容C3另一端接地。
作为优选的技术方案,所述稳压二极管Z1为4.3V稳压二极管Z1。
作为优选的技术方案,所述三极管Q1为PNP三极管Q1。
作为优选的技术方案,所述隔离驱动光耦电路包括331J隔离驱动光耦及其外围电路。
作为优选的技术方案,所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路包括隔离二极管、限流电阻及其外围电路。
作为优选的技术方案,所述增强型PWM信号推挽电路包括PNP三极管、NPN三极管及其外围电路。
如上所述,本实用新型一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路,具有以下有益效果:逻辑+5V受控监测电路用于监测控制逻辑+5V电压,施密特触发器整形滤波电路用于将电平转换、整形及滤波,隔离驱动光耦电路,用于PWM信号隔离、监控及故障状态反馈,IGBT抗饱和检测及过流侦测电路用于侦测IGBT过流信号,增强型PWM信号推挽电路用于提高PWM信号的驱动能力,门极信号阻容滤波输出电路用于给IGBT模块提供合适的驱动电阻并滤除PWM信号的高频噪声,保证上电瞬间,不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。
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