[实用新型]一种集成LED芯片、发光装置

说明书

本专利涉及消毒杀菌领域，具体而言涉及一种集成LED芯片、发光装置。所述集成LED芯片，包括支架，所述支架包括导体；凹槽，所述凹槽包括第一电触点和第二电触点，多个所述凹槽设置在所述支架上；以及LED芯粒，一个所述LED芯粒置于一个所述凹槽中，所述LED芯粒包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第一电触点电连接，所述第二电极和所述第二电触点电连接。本公开的凹槽成放射状的设置在所述支架周围，同时一个凹槽对应一个芯粒的设置能够尽可能地将芯粒的发光面暴露在外界，以提高发光效率。

技术领域

本专利涉及消毒杀菌领域，具体而言涉及一种集成LED芯片、发光装置。

背景技术

半导体深紫外发光二极管(LED)作为一种新型的高效固态光源，被广泛的应用于医疗、公共卫生、水体杀菌等领域。与汞灯相比半导体深紫外发光二极管它具有效率高、寿命长、体积小、环境友好等优点，具有极大的市场和全新的应用场景。尽管深紫外LED比紫外汞灯更具有成本效益和环保性，但由于其光输出功率低，无法轻易取代紫外汞灯。且随着发射波长的减小，深紫外LED主要发平行于蓝宝石c面传播的横磁(TM)偏振光，使得光损耗较大而导致光提取效率降低。

发明内容

本专利正是基于现有技术的上述需求而提出的，本专利要解决的技术问题是提供一种集成LED芯片、发光装置以提高深紫外光灯的光效率。

为了解决上述问题，本专利提供的技术方案包括：

提供了一种集成LED芯片，包括支架，所述支架包括导体；凹槽，所述凹槽包括第一电触点和第二电触点，多个所述凹槽设置在所述支架上；以及 LED芯粒，一个所述LED芯粒置于一个所述凹槽中，所述LED芯粒包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第一电触点电连接，所述第二电极和所述第二电触点电连接。

本公开的凹槽设置在所述支架周围，同时一个凹槽对应一个芯粒的设置能够尽可能地将芯粒的发光面暴露在外界，以提高发光效率。

优选的，所述凹槽均匀的设置在所述支架上，任一所述凹槽和与其相邻的凹槽之间的距离相等。

通过设置支架上的芯粒均匀的分布以使得LED集成芯片的均匀的发光。

优选的，所述凹槽的形状结构与所述LED芯粒的形状结构相适配。

如此设置以将LED芯粒固定在凹槽中，以防发生脱落。

优选的，所述凹槽的开口朝向远离所述支架的方向设置，且在所述凹槽的底壁上设置有所述第一电触点和所述第二电触点，与置于其后端的所述导体相连。

如此设置有利于所述凹槽上的电触点与导体电连接，简化布线，所述LED 芯粒以及所述凹槽配合放置，以提高发光效率。

优选的，所述LED芯粒的发光外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。

优选的，所述第一电极包括按照顺序堆叠的第一半导体焊盘电极和第一半导体电极，所述第一半导体焊盘电极的顶面与所述第一电触点电连接，所述第一半导体电极与所述第一半导体层相连。

优选的，所述第二电极包括按照顺序堆叠的第二半导体焊盘电极和第二半导体电极，所述第二半导体焊盘电极的顶面与所述第二电触点电连接，所述第二半导体电极与所述第二半导体层相连。

优选的，所述第一半导体电极的厚度大于所述第二半导体电极的厚度，所述第一半导体焊盘电极的顶面与所述第二半导体焊盘电极的顶面在同一平面上。

如此设置能够使LED芯粒和凹槽平稳的连接。

优选的，所述支架包括柱体支架，所述凹槽设置在至少包括柱体支架一端的顶面以及围绕所述顶面设置的靠近顶面的侧壁上。