[实用新型]干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统有效

专利信息
申请号: 202123348572.3 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN216749821U 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 张军;徐作杰;姜祎祎;张德伟;汤介峰;荆泉;陈力钧 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 刻蚀 机台 设备 前端 模块 颗粒 堆积物 清理 检测 系统
【说明书】:

实用新型提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,包括:检测盒,设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上;酸性指示剂,装填在检测盒之内,能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应;PH值探测器,安装在检测盒上并且能够与酸性指示剂相接触,以检测酸性指示剂的PH值;控制面板,与PH值探测器连接,用于接收PH值探测器的检测值,控制面板将检测值与预设值相比较,以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。本实用新型避免了过早及滞后对颗粒堆积物进行清理造成的不利影响,降低了人工成本、提高了干法刻蚀机台的利用率,提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域,特别涉及一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统。

背景技术

干法刻蚀机台为半导体芯片制造工艺的刻蚀设备,主要应用于半导体芯片制造的前段工艺,晶圆需要通过设备前端模块(EFEM)送入干法刻蚀机台内部,具体为晶圆通过设备前端模块的装载盘(Load Port)装载到晶圆传送盒(Foup)上送入干法刻蚀机台的内部,在打开晶圆传送盒的门板时,发现门板位置存在一定腐蚀现象,其一部分原因是由于刻蚀气体释放(outgassing)的氢溴酸(HBr)颗粒(particle)在门板打开时掉落堆积导致,在关闭门板之后,在刻蚀气体的气流引导下掉落至晶圆边缘上,在晶圆边缘形成颗粒映射缺陷,从而影响了晶圆的浅沟槽隔离(STI)等刻蚀工艺,因此需要对设备前端模块的颗粒堆积物定期进行清理,但由于每个机台的颗粒堆积物的堆积程度不同,则不能对所有机台进行统一清理,过早的清理造成人工成本的增加、降低了设备的利用率,滞后的清理则影响晶圆刻蚀工艺的质量。因此,如何判定每个机台的颗粒堆积物是否需要清理成为本领域亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,提供了一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,以解决如何判定干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物是否需要清理的问题。

为达到上述目的,本实用新型提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,包括:

检测盒,设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上;

酸性指示剂,装填在所述检测盒之内,能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应;

PH值探测器,安装在所述检测盒上并且能够与所述酸性指示剂相接触,以检测所述酸性指示剂的PH值;

控制面板,与所述PH值探测器连接,用于接收所述PH值探测器的检测值,所述控制面板将检测值与预设值相比较,以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。

进一步的,本实用新型提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,当PH值探测器的检测值大于预设值时,所述控制面板判断不需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。

进一步的,本实用新型提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,当PH值探测器的检测值小于或者等于预设值时,所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。

进一步的,本实用新型提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,还包括:

报警器,与所述控制面板连接,当所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理时,所述报警器发出颗粒堆积清理报警信号。

进一步的,本实用新型提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,所述报警器为声光报警器或者语音报警器。

进一步的,本实用新型提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,所述检测盒为不带盖的盒体。

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