[实用新型]干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统有效
| 申请号: | 202123348572.3 | 申请日: | 2021-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN216749821U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 张军;徐作杰;姜祎祎;张德伟;汤介峰;荆泉;陈力钧 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 机台 设备 前端 模块 颗粒 堆积物 清理 检测 系统 | ||
1.一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,包括:
检测盒,设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上;
酸性指示剂,装填在所述检测盒之内,能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应;
PH值探测器,安装在所述检测盒上并且能够与所述酸性指示剂相接触,以检测所述酸性指示剂的PH值;
控制面板,与所述PH值探测器连接,用于接收所述PH值探测器的检测值,所述控制面板将检测值与预设值相比较,以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,当PH值探测器的检测值大于预设值时,所述控制面板判断不需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
3.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,当PH值探测器的检测值小于或者等于预设值时,所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
4.如权利要求3所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,还包括:
报警器,与所述控制面板连接,当所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理时,所述报警器发出颗粒堆积清理报警信号。
5.如权利要求4所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,所述报警器为声光报警器或者语音报警器。
6.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,所述检测盒为不带盖的盒体。
7.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,所述检测盒与干法刻蚀机台的设备前端模块可拆卸连接。
8.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,所述酸性指示剂为颗粒状的溴酚蓝。
9.一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,包括:
检测盒,设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上;
酸性指示剂,装填在所述检测盒之内,能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应。
10.如权利要求9所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统,其特征在于,所述酸性指示剂为溴酚蓝,所述颗粒堆积物为氢溴酸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





