[实用新型]一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构有效
| 申请号: | 202123344330.7 | 申请日: | 2021-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN217239413U | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 刘明华;杨明 | 申请(专利权)人: | 江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 周青 |
| 地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 制备 单晶硅 异质结 太阳能电池 板结 | ||
本实用新型涉及的一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构,它包括载板本体,所述载板本体为一平面板,所述平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽,所述镂空凹槽上设有承载基板的石墨边框,所述载板本体的正反两面上都设置阵列布置的相同规格的凹槽,对应每一个凹槽均有一个分边框;所述石墨边框的正面和背面均设有涂层结构,涂层结构对称设置,所述石墨边框的正反表面均设有石墨烯层,所述石墨烯层的外表面设有一层氧化铟锡层,所述氧化铟锡层的外表面设有一层碳化硅涂层。本实用新型避免碳纤维粉对半成品电池片的污染,在降低TCO薄膜方阻的同时提升镀膜的稳定性,较少电池片的污染,提升良率,提升电池片的效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构。
背景技术
随着太阳能电池技术的发展,高效电池的开发越来越受重视,异质结电池因具有工艺温度低、转换效率高、电池稳定性好及温度系数低等特点而备受国内外研究人员关注。为了提高晶体硅电池正面的陷光性,工业中常采用表面织构化和减反射膜技术,以减少电池正面对太阳光的反射。其中,减反射膜一般采用等离子增强气相沉积(PECVD)来制备。在制备减反射膜的过程中,需将硅片放置在载板上,再将纸膜载板置于PECVD设备中,之后进行沉积过程。
现有的载板一般采用碳纤维载板,在多次使用、多次溅射后,会出现炭粉和湿气变大情况,表面涂层被破坏,湿气会增多,而且表面碳粉会污染硅片,从而导致电池片被污染,造成晶硅表面载流子复合速度增加,载流子扩散长度降低,导致EL亮度偏暗,造成电池片效率和良率降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构,降低载板的湿气和避免载板脱粉情况。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构,它包括载板本体,所述载板本体为一平面板,所述平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽,所述镂空凹槽上设有承载基板的石墨边框,所述载板本体的正反两面上都设置阵列布置的相同规格的凹槽,对应每一个凹槽均有一个分边框;所述石墨边框的正面和背面均设有涂层结构,涂层结构对称设置,所述石墨边框的正反表面均设有石墨烯层,所述石墨烯层的外表面设有一层氧化铟锡层,所述氧化铟锡层的外表面设有一层碳化硅涂层。
进一步地,所述凹槽设置在分边框的中心处,所述分边框的表面为向中心凹槽倾斜的倾斜面,在分边框上方形成方锥台状凹陷。
进一步地,所述氧化铟锡层的镀膜厚度为3-40μm。
进一步地,所述氧化铟锡层设有氧化铟和氧化锡,氧化铟的含量为85%,氧化锡的含量为15%。
进一步地,所述碳化硅涂层的表面设有密集且均布的耐磨凸点。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型的载板采用石墨边框,在其双面均设有三层涂层,第一层为石墨烯层,第二层为氧化铟锡层,第三层为碳化硅涂层。本实用新型的石墨边框为内凹型,中心凹槽用来装载硅片,硅片的固定性和稳定性更好,沉积反应更稳定。
本实用新型不被有色金属润湿,具有较高的常温机械强度和高温机械强度,能较好地抗溅射,抗离子轰击。通过对载板的重复使用和多次的摩擦实验,结果表明,本载板未发现有脱粉情况,也未出现增加湿气的现象。
涂层采用碳化硅耐磨涂层,它具有较高的电导率、热导率、抗热震性和抗磨损性。该材料不被有色金属润湿,具有较高的常温机械强度和高温机械强度,能较好地抗溅射,抗离子轰击。通过对载板的重复使用和多次的摩擦实验,结果表明,本载板未发现有脱粉情况,也未出现增加湿气的现象。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





