[实用新型]一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构有效
| 申请号： | 202123344330.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN217239413U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明华;杨明 | 申请（专利权）人： | 江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司： | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人： | 周青 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 单晶硅 异质结 太阳能电池 板结 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构，其特征在于：它包括载板本体（1），所述载板本体（1）为一平面板，所述平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽（12），所述镂空凹槽上设有承载基板的石墨边框（11），所述载板本体（1）的正反两面上都设置阵列布置的相同规格的凹槽（12），对应每一个凹槽（12）均有一个分边框；所述石墨边框（11）的正面和背面均设有涂层结构，涂层结构对称设置，所述石墨边框（11）的正反表面均设有石墨烯层（2），所述石墨烯层（2）的外表面设有一层氧化铟锡层（3），所述氧化铟锡层（3）的外表面设有一层碳化硅涂层（4）。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构，其特征在于：所述凹槽（12）设置在分边框的中心处，所述分边框的表面为向中心凹槽（12）倾斜的倾斜面，在分边框上方形成方锥台状凹陷。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构，其特征在于：所述氧化铟锡层（3）的镀膜厚度为3-40μm。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备单晶硅异质结太阳能电池的载板结构，其特征在于：所述碳化硅涂层（4）的表面设有密集且均布的耐磨凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
