[实用新型]碳化硅粉料合成套件和装置

说明书

本实用新型涉及晶体生长设备领域，具体而言，涉及一种碳化硅粉料合成套件和装置。该碳化硅粉料合成套件包括坩埚桶、坩埚盖以及外套体；其中，坩埚盖与坩埚桶可拆卸地连接；外套体套设于坩埚盖，且包覆坩埚盖与坩埚桶的连接处，外套体包括支撑件，支撑件用于与坩埚盖抵接，以使得外套体与坩埚盖围合成容置腔，容置腔用于容纳由坩埚盖与坩埚桶的连接处溢出的气氛。从而能够通过这样的方式，减少合成粉料的过程中粉料气氛泄漏到热场中，进而能够减缓粉料气氛对热场的腐蚀，从而能够提升热场材料的使用次数，避免因频繁更换热场材料造成的成本增加，以及避免出现无法获得高纯碳化硅粉末的情况。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长设备领域，具体而言，涉及一种碳化硅粉料合成套件和装置。

背景技术

碳化硅是继Si和GaAs之后发展起来的具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱及高抗辐射特性的第三代半导体材料，近年来迅速渗透到照明、电子电力器件和微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。

目前，用于制备碳化硅粉料的方法有很多，如Lely法、自蔓延高温合成法和碳热还原法等；其主要原理是通过加热到1800-2300℃，在一定保护气氛下保持一定压力，得到一定粒径的SiC粉料，而在该温度下，产生的SiC有部分以气氛的形式存在，而Si氛的挥发、生成的SiC气氛及合成粉料的热场结构等因素，会有部分气氛结晶在粉料合成的热场上，导致热场被腐蚀，从而降低热场的使用次数，增加不必要的成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅粉料合成套件和装置，其能够减少泄漏的粉料气氛，进而能够减缓粉料气氛对热场的腐蚀，从而能够提升热场材料的使用次数，避免因频繁更换热场材料造成的成本增加，以及避免出现无法获得高纯碳化硅粉末的情况。

本实用新型的实施例是这样实现的：

第一方面，本实用新型提供一种碳化硅粉料合成套件，包括：

坩埚桶；

坩埚盖，坩埚盖与坩埚桶可拆卸地连接；

以及外套体，外套体套设于坩埚盖，且包覆坩埚盖与坩埚桶的连接处，外套体包括支撑件，支撑件用于与坩埚盖抵接，以使得外套体与坩埚盖围合成容置腔，容置腔用于容纳由坩埚盖与坩埚桶的连接处溢出的气氛。

在可选的实施方式中，外套体包括顶板以及设于顶板一侧的围板，围板的内周面具备与坩埚盖的外周壁相适应的轮廓；顶板与坩埚盖间隔。

在可选的实施方式中，围板为锥形，支撑件连接于围板的内周壁。

在可选的实施方式中，支撑件包括多个沿围板轴向延伸的凸起，相邻的凸起之间形成导气通道，多个导气通道均将坩埚盖与坩埚桶的连接处与容置腔连通。

在可选的实施方式中，多个导气通道绕围板的轴线均匀间隔设置。

在可选的实施方式中，围板的内周面开设有多个凹槽，每个凹槽均沿围板的轴向延伸以形成将坩埚盖与坩埚桶的连接处与容置腔连通的导气通道。

在可选的实施方式中，围板为圆筒形，支撑件设置于容置腔，其连接于围板的内周壁和或连接于顶板。

在可选的实施方式中，围板与坩埚盖及坩埚桶间隙配合；

支撑件包括两个限位台，两个限位台交错设置并连接于顶板，且与坩埚盖抵接。

在可选的实施方式中，支撑件包括限位环，限位环绕围板的中心轴线设置，且与围板的内周壁连接，并与顶板间隔；

沿围板的中心轴线方向，限位环开设有贯穿限位环的多个导流口，导流口将坩埚盖与坩埚桶的连接处与容置腔连通。