[实用新型]一种CVD反应炉炉体冷却结构有效
| 申请号: | 202123263907.1 | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN216738521U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 林佳继;龙占勇;罗迎春;李洪 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cvd 反应炉 冷却 结构 | ||
本实用新型公开了一种CVD反应炉炉体冷却结构,包括炉壳冷却装置和密封冷却装置,炉壳冷却装置包括炉体,炉体设置有进出水接头和冷却腔体,进出水接头以及冷却腔体形成炉壳冷却通道,冷却介质沿炉壳冷却通道流通对炉体外壳进行冷却,密封冷却装置包括密封组件,密封组件设置有进出管组件和槽体组件,进出管组件以及槽体组件形成法兰冷却通道,冷却介质沿密封冷却通道流通对密封组件进行冷却,本实用新型将炉体设计为分段且每段为分层结构,第一半炉壳和第二半炉壳的第一通道和第二通道,冷却介质沿第一通道和第二通道流通,带走热场和石英管传递过来的热量,降低炉体外壳表面的温度,保证炉体外壳表面的温升在标准允许的范围内。
技术领域
本实用新型属于半导体领域,涉及一种CVD反应炉炉体冷却结构。
背景技术
CVD设备主要由反应室、反应室支撑、炉体外壳、炉体保温层及热场等组成,热场产生的热量通过辐射方式传递给反应室,满足反应所需要的温度要求,同时也将热量传递给炉体保温层和炉体外壳,使炉体外壳表面温升超过性能要求,反应室将热量传递给密封件和反应室支撑,现有的CVD反应炉采用单层炉壳、保温层等组成炉体外壳,由于设备安装空间有限,保温层厚度受到限制,致使保温层外壁温度高,并将这部分热量通过炉壳钢板直接传递到炉体外,炉壳表面温升超过标准规定,同时反应室的热量一部分传递给反应室支撑法兰,造成法兰及O型密封圈温度升高,影响设备密封性能和正常使用,本实用新型有效地解决了这种问题。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的不足,提供一种CVD反应炉炉体冷却结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种CVD反应炉炉体冷却结构,其特征在于:包括炉壳冷却装置和密封冷却装置,炉壳冷却装置包括炉体,炉体设置有进出水接头和冷却腔体,进出水接头以及冷却腔体形成炉壳冷却通道,冷却介质沿炉壳冷却通道流通对炉体外壳进行冷却,密封冷却装置包括密封组件,密封组件设置有进出管组件和槽体组件,进出管组件以及槽体组件形成法兰冷却通道,冷却介质沿密封冷却通道流通对密封组件进行冷却。
进一步的;所述炉体包括第一半炉壳和第二半炉壳,第一半炉壳和第二半炉壳分别设置为分层结构,第一半炉壳包括第一外炉壳和第一内炉壳,第一外炉壳位于第一内炉壳的外部,两者之间形成第一夹层,第一外炉壳和第一内炉壳的端面固设有第一端面封板,第一外炉壳和第一内炉壳的底面固设有第一底面封板,第一端面封板、第一底面封板、第一外炉壳和第一内炉壳之间密封连接,使第一夹层形成密封的腔体;第二半炉壳包括第二外炉壳和第二内炉壳,第二外炉壳位于第二内炉壳的外部,两者之间形成第二夹层,第二外炉壳和第二内炉壳的端面固设有第二端面封板,第二外炉壳和第二内炉壳的底面固设有第二底面封板,第二端面封板、第二底面封板、第二外炉壳和第二内炉壳之间密封连接,使第二夹层形成密封的腔体;第一夹层和第二夹层形成冷却腔体。
进一步的;所述进出水接头包括第一进水接头、第一回水接头、第二进水接头和第二回水接头,第一进水接头和第一回水接头位于第一半炉壳的两端,且与第一夹层连通,第一进水接头、第一夹层和第一回水接头形成第一通道,冷却介质沿第一通道流通,降低第一半炉壳的外壳表面的温度,第二进水接头和第二回水接头位于第二半炉壳的两端,且与第二夹层连通,第二进水接头、第二夹层和第二回水接头形成第二通道,冷却介质沿第二通道流通,降低第二半炉壳的外壳表面的温度。
进一步的;所述第一半炉壳和第二半炉壳通过若干联结装置固定连接,第一外炉壳的底面固设有突出板,联结装置包括联结板、联结螺母和联结件,联结板与第二半炉壳的第二底面封板焊接,联结螺母焊接于联结板的内侧面,突出板固设有联结孔,联结板插入联结孔与联结螺母螺纹连接,将第一半炉壳和第二半炉壳固设连接形成完整的炉壳。
进一步的;所述第一半炉壳和第二半炉壳固定连接形成炉膛,炉膛内设置保温层和石英管,密封冷却装置用于在石英管和炉体两端的固定密封以及密封组件的冷却,并对石英管提供支撑,控制石英管与炉体的同轴度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





