[实用新型]一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备有效
| 申请号: | 202123242990.4 | 申请日: | 2021-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN218241770U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
| 发明(设计)人: | 任小伟;蔡凯;周芳超;王春来;任良为 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 季承 |
| 地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化铝 粉尘 捕捉 镀膜 设备 | ||
本实用新型涉及管道维护技术领域,尤其涉及一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备。该氧化铝粉尘捕捉器包括氧化铝存储装置、抽真空装置、第一管路和第二管路。其中,氧化铝存储装置中盛放有氧化铝粉尘。第一管路一端连通于氧化铝存储装置,另一端连通于抽真空装置。第二管路一端连通于氧化铝存储装置,另一端连通于抽真空装置,且第二管路不连通第一管路。抽真空装置远离氧化铝存储装置的一端设置有太阳能电池,氧化铝粉尘能够经过第一管路或第二管路沉积在太阳能电池的表面。氧化铝粉尘捕捉器的第一管路和第二管路独立工作,更换第一管路或第二管路时不影响氧化铝粉尘捕捉器的正常使用,提高工作效率,提高氧化铝镀膜设备的产能。
技术领域
本实用新型涉及管道维护技术领域,尤其涉及一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备。
背景技术
随着新能源行业的发展,光伏行业作为清洁能源之一,受到人们越来越多的重视。光伏行业的重要产品为光伏组件,而光伏组件的核心发电部件是光伏组件中的太阳能电池。太阳能电池在制造的工艺制程中,为了增加太阳能电池中的少子(少数载流子)寿命,提高太阳能电池的光电转换率,通常需要在太阳能电池表面沉积一层或者多层的氧化铝薄膜。因为氧化铝薄膜具有良好的场饨化效应和化学钝化效应,同时,氧化铝薄膜及其叠层具有良好的热稳定性,满足丝网印刷和高温烧结等后续制程工艺的要求,以提高太阳能电池的稳定性和可靠性。
在氧化铝镀膜工艺中需要使用氧化铝镀膜设备在太阳能电池表面进行沉积氧化铝薄膜。氧化铝镀膜设备中包括氧化铝粉尘捕捉器,现有技术中的氧化铝粉尘捕捉器需要每个月维护更换一次,且每次维护更换的时间为5小时以上,维护时间长。同时,在作业人员维护更换氧化铝粉尘捕捉器的时候,氧化铝镀膜设备需要停机等待,造成设备产能下降,进而影响工厂的经济效益。
因此,亟需设计一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备来解决现有技术中的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种氧化铝粉尘捕捉器,该氧化铝粉尘捕捉器结构简单,易于加工和操作,第一管路和第二管路独立工作、互不影响,维护更换第一管路或第二管路时不影响氧化铝粉尘捕捉器的正常使用,进而提高工作效率。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型提供一种氧化铝粉尘捕捉器,包括:
氧化铝存储装置,所述氧化铝存储装置中盛放有氧化铝粉尘;
抽真空装置;
第一管路,所述第一管路设置在所述氧化铝存储装置与所述抽真空装置之间,且所述第一管路一端连通于所述氧化铝存储装置,另一端连通于所述抽真空装置;
第二管路,所述第二管路设置在所述氧化铝存储装置与所述抽真空装置之间,且所述第二管路一端连通于所述氧化铝存储装置,另一端连通于所述抽真空装置,且所述第二管路不连通所述第一管路;所述抽真空装置远离所述氧化铝存储装置的一端设置有太阳能电池,以使所述氧化铝粉尘能够经过所述第一管路或所述第二管路沉积在所述太阳能电池的表面。
作为一种可选方案,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第一真空阀和第二真空阀,所述第一真空阀设置在所述第一管路靠近所述氧化铝存储装置的一端,所述第二真空阀设置在所述第一管路靠近所述抽真空装置的一端。
作为一种可选方案,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第三真空阀和第四真空阀,所述第三真空阀设置在所述第二管路靠近所述氧化铝存储装置的一端,所述第四真空阀设置在所述第二管路靠近所述抽真空装置的一端。
作为一种可选方案,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第三管路,所述第三管路包括a口、b口和c口,所述a口连接于所述氧化铝存储装置,所述b口连接于所述第一真空阀,所述c口连接于所述第三真空阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





