[实用新型]一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备有效
| 申请号: | 202123242990.4 | 申请日: | 2021-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN218241770U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
| 发明(设计)人: | 任小伟;蔡凯;周芳超;王春来;任良为 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 季承 |
| 地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化铝 粉尘 捕捉 镀膜 设备 | ||
1.一种氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述氧化铝粉尘捕捉器包括:
氧化铝存储装置(1),所述氧化铝存储装置(1)中盛放有氧化铝粉尘;
抽真空装置(2);
第一管路(3),所述第一管路(3)设置在所述氧化铝存储装置(1)与所述抽真空装置(2)之间,且所述第一管路(3)一端连通于所述氧化铝存储装置(1),另一端连通于所述抽真空装置(2);
第二管路(4),所述第二管路(4)设置在所述氧化铝存储装置(1)与所述抽真空装置(2)之间,且所述第二管路(4)一端连通于所述氧化铝存储装置(1),另一端连通于所述抽真空装置(2),且所述第二管路(4)不连通所述第一管路(3);所述抽真空装置(2)远离所述氧化铝存储装置(1)的一端设置有太阳能电池,以使所述氧化铝粉尘能够经过所述第一管路(3)或所述第二管路(4)沉积在所述太阳能电池的表面。
2.根据权利要求1所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第一真空阀(31)和第二真空阀(32),所述第一真空阀(31)设置在所述第一管路(3)靠近所述氧化铝存储装置(1)的一端,所述第二真空阀(32)设置在所述第一管路(3)靠近所述抽真空装置(2)的一端。
3.根据权利要求2所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第三真空阀(41)和第四真空阀(42),所述第三真空阀(41)设置在所述第二管路(4)靠近所述氧化铝存储装置(1)的一端,所述第四真空阀(42)设置在所述第二管路(4)靠近所述抽真空装置(2)的一端。
4.根据权利要求3所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第三管路(5),所述第三管路(5)包括a口(51)、b口(52)和c口(53),所述a口(51)连接于所述氧化铝存储装置(1),所述b口(52)连接于所述第一真空阀(31),所述c口(53)连接于所述第三真空阀(41)。
5.根据权利要求3所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述氧化铝粉尘捕捉器还包括第四管路(6),所述第四管路(6)包括d口(61)、e口(62)和f口(63),所述d口(61)连接于所述抽真空装置(2),所述e口(62)连接于所述第二真空阀(32),所述f口(63)连接于所述第四真空阀(42)。
6.根据权利要求3所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述第一管路(3)包括第一球形部(33),所述第一球形部(33)设置在所述第一真空阀(31)和所述第二真空阀(32)之间。
7.根据权利要求3所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述第二管路(4)包括第二球形部(43),所述第二球形部(43)设置在所述第三真空阀(41)和所述第四真空阀(42)之间。
8.根据权利要求3所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述第一真空阀(31)、所述第二真空阀(32)、所述第三真空阀(41)以及所述第四真空阀(42)均为真空蝶阀。
9.根据权利要求1所述的氧化铝粉尘捕捉器,其特征在于,所述抽真空装置(2)的真空度保持在200pa-1200pa之间。
10.一种氧化铝镀膜设备,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的氧化铝粉尘捕捉器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横店集团东磁股份有限公司,未经横店集团东磁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123242990.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种建筑施工用脚手架安装平台
- 下一篇:一种明胶生产用自动排渣提胶锅
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





