[实用新型]炉体和扩散设备

说明书

本实用新型公开一种炉体和扩散设备，涉及光伏扩散设备技术领域。该炉体包括壳体和保温筒，壳体包覆在保温筒外周，保温筒内部为炉腔，炉腔用于容纳工艺管。保温筒的筒壁内开设有多个进气通道和多个排气通道。进气通道与冷却气体的气源连通，进气通道内的气体可沿进气通道由炉体的一端到另一端。进气通道上设置有多个沿其导流方向分布的第一气孔，且第一气孔的两端分别与进气通道和炉腔连通。排气通道内的气体可沿排气通道由炉体的一端到另一端，排气通道上设置有多个沿其导流方向分布的第二气孔，且第二气孔的两端分别与排气通道和炉腔连通。进气通道与排气通道沿保温筒的周向间隔设置。该方案能解决扩散设备炉体中各处冷却速率不均的问题。

技术领域

本实用新型涉及光伏扩散设备技术领域，尤其涉及炉体和扩散设备。

背景技术

半导体的热处理工艺是其制造过程中一个非常重要的环节。常规的热处理工艺包括氧化、退火和LPCVD等。目前的半导体工艺设备能够同时对多张半导体晶圆进行分批的热处理，而每批次热处理时炉体的温度一般都会达到几百到上千度，要进行下一批次的热处理，就需要等到炉体温度降低之后才能进行，为了提高生产效率，就需要对炉体进行快速降温处理，需要利用快速降温炉体来实现。

相关技术中，光伏扩散设备主要通过向设备内通入冷空气实现炉体降温。具体的，在炉体内设置有贯穿炉体的气流通道，冷空气沿气流通道，由炉体的一端向炉体的另一端流动，进而使得冷空气可以与炉体进行热交换，以达到对炉体降温的目的。但是，随着冷空气与炉体发生热交换，冷空气的温度逐渐增加，进而导致炉体中靠近气流通道出口端的冷却效果相对较差，进而导致炉体在沿气流通道方向上存在较大的温差，影响产能提升。

实用新型内容

本实用新型公开一种炉体和扩散设备，以解决相关技术中扩散设备炉体中各处冷却速率不均的问题。

为了解决上述问题，本实用新型采用下述技术方案：

本申请所述的炉体用于容纳工艺管，所述炉体包括壳体和保温筒，

壳体包覆在保温筒外周，保温筒内部为炉腔，炉腔用于容纳工艺管；

保温筒的筒壁内开设有多个进气通道和多个排气通道，其中：

进气通道与冷却气体的气源连通，进气通道内的气体可沿进气通道由炉体的一端到另一端；进气通道上设置有多个沿其导流方向分布的第一气孔，且第一气孔的两端分别与进气通道和炉腔连通，第一气孔用于向炉腔通入冷却气体；

排气通道内的气体可沿排气通道由炉体的一端到另一端，排气通道上设置有多个沿其导流方向分布的第二气孔，且第二气孔的两端分别与排气通道和炉腔连通，第二气孔用于将炉腔内的冷却气体排入排气通道；排气通道的排气端用于排出冷却气体；

进气通道与排气通道沿保温筒的周向间隔设置。

基于本实用新型所述的炉体，本申请还公开了一种扩散设备。该扩散设备包括工艺管和本实用新型所述的炉体。工艺管贯穿炉体设置于炉腔内。

本实用新型采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本实用新型实施例公开的炉体开设有进气通道和排气通道，进气通道通过第一气孔与炉腔连通，排气通道通光第二气孔与炉腔连通。在对炉体进行降温的情况下，冷却气体沿进气通道从第一气孔进入炉腔。炉腔内的气体沿第二气孔进入排气通道，进而携带半导体设备内的热量排出。多个第一气孔沿进气通道的导流方向分布，使得冷却空气可以沿进气通道到达炉体中部后并从位于炉体中部的第一气孔进入炉体中部，即冷却空气可以直接沿进气通道达到炉体中部，避免冷却气体在到达炉体中部的过程中被持续加热。因此，上述方案可以使得炉腔各处进入的冷却空气的温度更加均匀。并且，多个第二气孔沿排气通道的导流方向分布，使得炉腔内各处的被加热的冷却气体均可以从第二气孔进入排气通道，可进一步避免冷却空气沿炉腔流动的过程中被持续加热，使得炉体的各处冷却速率更均匀。

附图说明