[实用新型]一种提高单晶拉速的装置有效
| 申请号: | 202123192162.4 | 申请日: | 2021-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN217298080U | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
| 发明(设计)人: | 杨昊;付春旭;孙自阳;赵秀雷 | 申请(专利权)人: | 弘元新材料(包头)有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/30;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人: | 王建文 |
| 地址: | 014030 内蒙古自治区包头*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 单晶拉速 装置 | ||
本实用新型公开了一种提高单晶拉速的装置,涉及单晶拉晶技术领域。本实用新型包括导流筒,外导流筒内部的底端固定有下部支撑环,外导流筒的内部还固定有内导流筒,内导流筒的底端位于下部支撑环的外侧,且内导流筒的底端与外导流筒内部的底端贴合,内导流筒的内侧固定有水冷屏,外导流筒顶端的两侧固定有抬升机构,抬升机构包括有连杆、电动推杆、固定片与弧形连接扣,连杆固定在外导流筒顶端的外侧。本实用新型通过对结构的改进,能够缩短水冷屏与硅溶液面的距离,进而增加拉晶速度,增加产量,且装置能够调节外导流筒的位置,能够保证硅溶液面高度产生变化时也能够与水冷屏保持在同一间距。
技术领域
本实用新型属于单晶拉晶技术领域,特别是涉及一种提高单晶拉速的装置。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,目前行业提高单晶炉等径拉速的方法主要是通过降功率实现,但单纯的通过降功率提高拉速效果有限,手段单一。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提高单晶拉速的装置,以解决现有的问题:现有单晶拉速单纯的通过降功率提高拉速效果有限,手段单一。
为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种提高单晶拉速的装置,包括外导流筒,所述外导流筒内部的底端固定有下部支撑环,所述外导流筒的内部还固定有内导流筒,所述内导流筒的底端位于下部支撑环的外侧,且所述内导流筒的底端与外导流筒内部的底端贴合,所述内导流筒的内侧固定有水冷屏,所述外导流筒顶端的两侧固定有抬升机构。
进一步地,所述抬升机构包括有连杆、电动推杆、固定片与弧形连接扣,所述连杆固定在外导流筒顶端的外侧,所述连杆的底端固定有固定片,所述固定片的底端固定有电动推杆,所述电动推杆的输出端与固定片的底端固定,所述电动推杆的底端固定有弧形连接扣。
进一步地,所述水冷屏顶端的两侧分别固定有入水管和出水管,所述入水管固定在水冷屏的入水口,所述出水管固定在水冷屏的出水口。
进一步地,所述外导流筒与内导流筒之间填充有隔热填充物。
进一步地,所述连杆上表面的中部固定有连接管。
本实用新型具有以下有益效果:
1、本实用新型通过对结构的改进,能够缩短水冷屏与硅溶液面的距离,进而增加拉晶速度,增加产量。
2、本实用新型通过对结构的设计,使得装置能够调节外导流筒的位置,能够保证硅溶液面高度产生变化时也能够与水冷屏保持在同一间距。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型抬升机构的结构示意图;
图3为本实用新型的局部剖面图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、外导流筒;2、内导流筒;3、水冷屏;4、下部支撑环;5、入水管;6、出水管;7、隔热填充物;8、连杆;9、电动推杆;10、固定片;11、弧形连接扣;12、连接管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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