[实用新型]一种检测激光SE台面上碎片的装置

说明书

本实用新型公开了一种检测激光SE台面上碎片的装置，包括：基座，所述基座上设置有台面、雕刻加工台和转臂装置，所述转臂装置上连接有摄像机械臂、吹气机械臂和吸盘机械臂，所述吸盘机械臂位于摄像机械臂上方，所述摄像机械臂位于吹气机械臂和吸盘机械臂之间，且摄像机械臂与吸盘机械臂在水平面上设置有夹角，摄像机械臂端部设置有摄像装置，所述吹气机械臂位于摄像机械臂正下方，吹气机械臂端部设置有吹气喷嘴，吹气喷嘴连接气泵装置。本实用新型采用拍照图像识别技术对台面进行监控，在识别到碎片后可对台面进行吹气清理，清除碎片，保持台面清洁，避免对雕刻图案精度造成影响。

技术领域

本实用新型涉及硅晶电池加工相关技术领域，具体是一种检测激光SE台面上碎片的装置。

背景技术

晶硅电池选择性发射极（SE）激光掺杂技术已实现工业化量产，成为新一代主流技术。SE电池是利用扩散后硅片表面的磷硅玻璃（PSG），通过激光在电极区域形成高浓度掺杂，在光吸收区进行低浓度轻掺杂，该电池结构可以有效提升填充因子，短路电流和开路电压，从而提高电池转换效率。

激光SE掺杂的加工方式为将上料传送皮带上硅片通过机械旋转吸盘放置台面上，台面吸附住硅片，然后将台面旋转至激光出口处进行雕刻，完成后由吸盘吸附放置下料传送皮带。激光SE最重要的监控参数为雕刻图形的精度，精度偏差较大会导致丝网印刷偏移，影响良率效率，而影响精度最主要的是台面的水平，在正常生产过程中，因硅片隐裂或机械接触导致硅片碎裂，产生的碎片残留在台面上未被发现，导致硅片放置在台面上水平异常，从而导致精度异常。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种检测激光SE台面上碎片的装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种检测激光SE台面上碎片的装置，包括：基座，所述基座上设置有台面、雕刻加工台和转臂装置，所述转臂装置上连接有摄像机械臂、吹气机械臂和吸盘机械臂，所述吸盘机械臂位于摄像机械臂上方，所述摄像机械臂位于吹气机械臂和吸盘机械臂之间，且摄像机械臂与吸盘机械臂在水平面上设置有夹角，摄像机械臂端部设置有摄像装置，所述吹气机械臂位于摄像机械臂正下方，吹气机械臂端部设置有吹气喷嘴，吹气喷嘴连接气泵装置。

作为本实用新型进一步的方案：所述吸盘机械臂端部设置电动伸缩杆,所述电动伸缩杆位于台面正上方，电动伸缩杆端部连接有吸盘装置。

作为本实用新型进一步的方案：所述夹角为硅片在台面和雕刻加工台间转运所转动的角度。

作为本实用新型进一步的方案：所述摄像装置为CCD相机，CCD相机连接至控制计算机。

作为本实用新型进一步的方案：所述吹气喷嘴水平设置并与台面平齐。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用拍照图像识别技术对台面进行监控，在识别到碎片后可对台面进行吹气清理，清除碎片，保持台面清洁，避免对雕刻图案精度造成影响。

附图说明

图1为本实用新型的主视结构示意图。

图2为本实用新型的俯视结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。