[实用新型]一种硅片倒角吸盘有效
申请号: | 202123162667.6 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216793653U | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 吴晓峰;程美娇;黄笑容;孙新利 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新材料研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33325 | 代理人: | 周孝林 |
地址: | 313100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 倒角 吸盘 | ||
1.一种硅片倒角吸盘,包括:
吸盘本体(1),
其特征在于,还包括:
吸附道孔(2),所述吸附道孔(2)沿所述吸盘本体(1)的吸附面(10)均布设置,以对硅片进行均匀吸附。
2.根据权利要求1所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸附道孔(2)呈与所述硅片的形状相适配的中心对称结构,以沿所述硅片的径向和/或圆周方向均匀施加吸附力。
3.根据权利要求1所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸附道孔(2)包括:
分气道(21),若干个所述分气道(21)沿所述吸盘本体(1)的径向开设于所述吸盘本体(1)内且沿圆周阵列分布;
气孔(22),若干个所述气孔(22)均布开设于所述吸附面(10)上且对应与若干个所述分气道(21)连通设置;以及
主气道(23),所述主气道(23)与所述分气道(21)连通设置。
4.根据权利要求3所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述主气道(23)设置为一个且贯穿所述吸盘本体(1)的轴向中心设置。
5.根据权利要求3所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述气孔(22)对应开设于所述分气道(21)上方,且沿每个所述分气道(21)的长度方向分布设置至少一个。
6.根据权利要求3所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸附道孔(2)还包括:
槽道(24),所述槽道(24)呈同心环状,其均布凹设于所述吸附面(10)上且与所述气孔(22)连通设置。
7.根据权利要求6所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸附面(10)上沿其径向扩散开设有若干个与其同心的环槽(241),该吸附面(10)上位于所述分气道(21)的上方还开设有沿该分气道(21)的长度方向分布的直槽(242),以将内外相邻的所述环槽(241)相互连通,所述环槽(241)以及直槽(242)共同形成所述槽道(24)。
8.根据权利要求7所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述直槽(242)与所述主气道(23)连通设置。
9.根据权利要求1所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸盘本体(1)与所述硅片的形状尺寸相适配。
10.根据权利要求1所述的一种硅片倒角吸盘,其特征在于,所述吸盘本体(1)上均布开设有若干个沿其轴向贯穿的安装孔(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造