[实用新型]一种硅片有效

专利信息
申请号: 202123113242.6 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN216871988U 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 王美;季斌斌;谭晓靖 申请(专利权)人: 无锡奥特维科技股份有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/054
代理公司: 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 代理人: 章陆一
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片
【说明书】:

本申请揭示了一种硅片,属于光伏组件生产技术领域。该硅片的表面上形成有向下的至少一个凹槽,所述凹槽用于增大所述硅片的制绒面积,所述凹槽表面上在制绒后形成金字塔结构,所述硅片表面包括非印刷区域和用于印刷栅线的待印刷区域,至少部分凹槽分布于所述硅片表面的非印刷区域。通过在硅片表面上设置凹槽,以增大制绒面积,从而增加凹槽内制绒形成的金字塔结构,这些金字塔结构会提高陷光率,从而增大光电转换率。

技术领域

实用新型属于光伏组件生产技术领域,涉及一种硅片。

背景技术

在形成电池片的工艺中,通过对硅片的多道处理形成电池片,比如制绒和丝印等。其中制绒是在切割形成的硅片上通过酸或碱腐蚀,以在硅片的表面上形成金字塔;丝印是在制绒后的硅片上印刷栅线形成电池片。

硅片制绒的目的是:在硅片表面上形成了金字塔,这些金字塔可以对外部光线进行陷光,减少光的反射,提高了单位面积的光吸收率。

目前的硅片表面是平面的,存在一种打码溯源的需求,即在硅片上激光打码,激光打码形成的小凹槽组成可溯源的二维码,即溯源码。在传统的研究理论中,领域内的技术人员均认为硅片上的激光打码会影响电池片的光吸收率,原因推导是打码的小槽体内无法制绒,会减少硅片的制绒面积。因此,会要求将溯源码打的越小越好。也因此,溯源码中的各个小槽体的面积要求非常小,而过小的槽体又不能因制绒影响后续的溯源识别。

实用新型内容

本申请的申请人在最近的研究实验中发现,在硅片表面形成较大凹槽,仍旧可以在凹槽内实现制绒形成金字塔,且凹槽相比于平面的面积更大,从而使得投影面积相同的情况下,表面形成凹槽的电池片的陷光效果更好,光吸收率更高。基于此,本申请提供了一种新型的硅片。技术方案如下:

本申请提供了一种硅片,所述硅片的表面上形成有向下的至少一个凹槽,所述凹槽用于增大所述硅片的制绒面积,所述凹槽表面上在制绒后形成金字塔结构,所述硅片表面包括非印刷区域和用于印刷栅线的待印刷区域,至少部分所述凹槽分布于所述硅片表面的非印刷区域。

可选的,所述凹槽为至少两个,至少两个所述凹槽的排布方式包括如下至少一种方式:间隔预定距离排布、并肩排布、交叉排布或随机分布于所述硅片的表面。

可选的,所述凹槽通过激光划线、激光打码、光刻、化学腐蚀或机械刻蚀中的至少一种方式形成。

可选的,所述硅片表面上的部分凹槽组合形成用于对所述硅片进行唯一标识的标识码。

可选的,所述凹槽分布于所述硅片的正面和背面中的至少一面。

可选的,所述凹槽的凹面为弧形凹面、锥形凹面、梯形凹面,或非规则凹面。

可选的,所述凹槽上端部的直径范围为2μm-200μm,部分所述的深度范围为4μm-25μm。

可选的,所述凹槽上端部的直径范围为90μm-130μm。

可选的,所述凹槽的深度范围为4μm-11μm。

可选的,至少两个所述凹槽的内凹面积相同或不同;和/或,至少两个所述凹槽的形状相同或不同。

可选的,所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。

基于上述技术特征,本申请至少可以实现如下有益效果:

通过在硅片表面上设置凹槽,以增大制绒面积,从而增加凹槽内制绒形成的金字塔结构,这些金字塔结构会提高陷光率,从而增大光电转换率。

应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本实用新型的实施例,并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

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