[实用新型]一种硅片有效
| 申请号: | 202123113242.6 | 申请日: | 2021-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN216871988U | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 王美;季斌斌;谭晓靖 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/054 |
| 代理公司: | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陆一 |
| 地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 | ||
1.一种硅片,其特征在于,所述硅片的表面上形成有向下的至少一个凹槽,所述凹槽用于增大所述硅片的制绒面积,所述凹槽表面上在制绒后形成金字塔结构,所述硅片表面包括非印刷区域和用于印刷栅线的待印刷区域,至少部分所述凹槽分布于所述硅片表面的非印刷区域。
2.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述凹槽为至少两个,至少两个所述凹槽的排布方式包括如下至少一种方式:间隔预定距离排布、或并肩排布、交叉排布或随机分布于所述硅片的表面。
3.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述凹槽通过激光划线、激光打码、光刻、化学腐蚀或机械刻蚀中的至少一种方式形成。
4.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述硅片表面上的部分凹槽组合形成用于对所述硅片进行唯一标识的标识码。
5.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述凹槽分布于所述硅片的正面和背面中的至少一面。
6.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述凹槽的凹面为弧形凹面、锥形凹面、梯形凹面,或非规则凹面。
7.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述凹槽上端部的直径范围为2μm-200μm,部分所述凹槽的深度范围为4μm-25μm。
8.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,至少两个所述凹槽的内凹面积相同或不同;和/或,至少两个所述凹槽的形状相同或不同。
9.根据权利要求1-8中任一所述的硅片,其特征在于,所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡奥特维科技股份有限公司,未经无锡奥特维科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123113242.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种空气源热风机的节能环保装置
- 下一篇:一种高强度带直角弯头的水晶头导线
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





