[实用新型]一种负压抗干扰晶闸管触发电路

说明书

本实用新型提供一种负压抗干扰晶闸管触发电路，包括光纤收发器F1和晶闸管SCR，晶闸管SCR的阴极连接GND，晶闸管SCR的阴极作为输出端口，光纤收发器F1的输入端接输入脉冲信号，还包括三极管放大电路、光耦合器U1、正向脉冲信号提取电路、负向脉冲信号提取电路和抗干扰电路，所述光纤收发器F1的输出端串联三极管放大电路后分为两路，一路依次串联正向脉冲信号提取电路和抗干扰电路后接入晶闸管SCR的控制极，另一路依次串联光耦合器U1和负向脉冲信号提取电路后接入晶闸管SCR的控制极，本实用新型能够有效的将触发脉冲底部电压降为‑3.5V，极大地提高了晶闸管的抗干扰特性，避免由于晶闸管损坏导致系统不能正常运行的情况发生。

技术领域

本实用新型涉及晶闸管抗干扰领域，尤其涉及一种负压抗干扰晶闸管触发电路。

背景技术

晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极:阳极，阴极和门极，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，目前晶闸管是大于0.7V进行触发的，而触发晶闸管的脉冲底部电压为0V，极其容易受干扰信号（毛刺）干扰而导致晶闸管误导通，造成晶闸管损坏等严重后果，使系统不能正常运行。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种负压抗干扰晶闸管触发电路，能够有效的将触发脉冲底部电压降为-3.5V，极大地提高了晶闸管的抗干扰特性，避免由于晶闸管损坏导致系统不能正常运行的情况发生。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种负压抗干扰晶闸管触发电路，包括光纤收发器F1和晶闸管SCR，晶闸管SCR的阴极连接GND，晶闸管SCR的阴极作为输出端口，光纤收发器F1的输入端接输入脉冲信号，还包括三极管放大电路、光耦合器U1、正向脉冲信号提取电路、负向脉冲信号提取电路和抗干扰电路，所述光纤收发器F1的输出端串联三极管放大电路后分为两路，一路依次串联正向脉冲信号提取电路和抗干扰电路后接入晶闸管SCR的控制极，另一路依次串联光耦合器U1和负向脉冲信号提取电路后接入晶闸管SCR的控制极。

优选的，所述三极管放大电路包括PNP型三极管Q1，光纤收发器F1的输出端串联电阻R1后连接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极串联电阻R2后连接VCC，三极管Q1的发射极分别串联反向二极管D1、变容二极管E1、二极管C1后连接GND，三极管Q1的集电极分别连接正向脉冲信号提取电路和光耦合器U1。

优选的，所述正向脉冲信号提取电路包括NPN型三极管Q2和P沟道MOS管Q3,三极管放大电路串联电阻R3后接三极管Q2的基极，三极管Q2的基极串联R4后连接GND，三极管Q2的发射极连接GND，三极管Q2的集电极连接MOS管Q3的栅极，三极管Q2的集电极串联电阻R5后接VCC，MOS管Q3的源极连接VCC，MOS管Q3的漏极依次串联二极管D3、电容C2后连接晶闸管SCR的控制极，MOS管Q3的漏极串联反向二极管D2后连接GND，MOS管Q3的漏极依次串联二极管D3、电容C2后分别依次串联电阻R8、变容二极管L2后连接GND，电容C2两端分别并联有电阻R7以及串联的电阻R6、变容二极管L1。

优选的，所述负向脉冲信号提取电路包括N沟道MOS管Q4，光耦合器U1的输出端串联电阻R12后连接MOS管Q4的栅极，光耦合器U1的输出端串联电阻R11后连接GND，MOS管Q4的栅极串联电阻R13后连接VEE，MOS管Q4的漏极连接VEE，MOS管Q4的栅极依次串联反向二极管D7、电阻R14后连接晶闸管SCR的控制极，MOS管Q4的栅极串联二极管D6后连接GND。

优选的，所述抗干扰电路包括电阻R9、电容C3、反向串联的二极管D4和二极管D5，正向脉冲信号提取电路SCR的控制极分别串联电阻R9、电容C3、反向串联的二极管D4和二极管D5后连接GND。

根据上述技术方案，本实用新型的有益效果是：