[实用新型]一种负压抗干扰晶闸管触发电路

权利要求书

1.一种负压抗干扰晶闸管触发电路，包括光纤收发器F1和晶闸管SCR，晶闸管SCR的阴极连接GND，晶闸管SCR的阴极作为输出端口，光纤收发器F1的输入端接输入脉冲信号，其特征在于：还包括三极管放大电路、光耦合器U1、正向脉冲信号提取电路、负向脉冲信号提取电路和抗干扰电路，所述光纤收发器F1的输出端串联三极管放大电路后分为两路，一路依次串联正向脉冲信号提取电路和抗干扰电路后接入晶闸管SCR的控制极，另一路依次串联光耦合器U1和负向脉冲信号提取电路后接入晶闸管SCR的控制极。

2.根据权利要求1所述的一种负压抗干扰晶闸管触发电路，其特征在于：所述三极管放大电路包括PNP型三极管Q1，光纤收发器F1的输出端串联电阻R1后连接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极串联电阻R2后连接VCC，三极管Q1的发射极分别串联反向二极管D1、变容二极管E1、二极管C1后连接GND，三极管Q1的集电极分别连接正向脉冲信号提取电路和光耦合器U1。

3.根据权利要求1所述的一种负压抗干扰晶闸管触发电路，其特征在于：所述正向脉冲信号提取电路包括NPN型三极管Q2和P沟道MOS管Q3,三极管放大电路串联电阻R3后接三极管Q2的基极，三极管Q2的基极串联R4后连接GND，三极管Q2的发射极连接GND，三极管Q2的集电极连接MOS管Q3的栅极，三极管Q2的集电极串联电阻R5后接VCC，MOS管Q3的源极连接VCC，MOS管Q3的漏极依次串联二极管D3、电容C2后连接晶闸管SCR的控制极，MOS管Q3的漏极串联反向二极管D2后连接GND，MOS管Q3的漏极依次串联二极管D3、电容C2后分别依次串联电阻R8、变容二极管L2后连接GND，电容C2两端分别并联有电阻R7以及串联的电阻R6、变容二极管L1。

4.根据权利要求1所述的一种负压抗干扰晶闸管触发电路，其特征在于：所述负向脉冲信号提取电路包括N沟道MOS管Q4，光耦合器U1的输出端串联电阻R12后连接MOS管Q4的栅极，光耦合器U1的输出端串联电阻R11后连接GND，MOS管Q4的栅极串联电阻R13后连接VEE，MOS管Q4的漏极连接VEE，MOS管Q4的栅极依次串联反向二极管D7、电阻R14后连接晶闸管SCR的控制极，MOS管Q4的栅极串联二极管D6后连接GND。

5.根据权利要求1所述的一种负压抗干扰晶闸管触发电路，其特征在于：所述抗干扰电路包括电阻R9、电容C3、反向串联的二极管D4和二极管D5，正向脉冲信号提取电路SCR的控制极分别串联电阻R9、电容C3、反向串联的二极管D4和二极管D5后连接GND。