[实用新型]AMOLED基板及AMOLED显示屏有效
| 申请号: | 202122799102.2 | 申请日: | 2021-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN216488066U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 安北燕;罗锦钊;胡君文 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张秋弟 |
| 地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | amoled 显示屏 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种AMOLED显示屏,其AMOLED基板设有显示区、边框区和绑定区,信号搭接区包括上搭接区和下搭接区,上搭接区和下搭接区分别位于边框区内部的上端和下端;上搭接区包括至少一个上边角搭接区,上边角搭接区的内边界紧挨着显示区上端边角位置处的外边界,上边角搭接区的外边界紧挨着封装区上端边角位置处的内边界;下搭接区包括至少一个下边角搭接区,下边角搭接区的内边界紧挨着显示区下端边角位置处的外边界,下边角搭接区的外边界紧挨着封装区下端边角位置处的内边界。该显示屏能够增大显示屏的空间利用率,缩小显示屏的左右边框,从而提高屏占比。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种AMOLED基板及AMOLED显示屏。
背景技术
随着显示行业技术的发展,市场对显示面板的要求越来越高,对于一些高端的手机、手表等显示屏不仅要求性能更加优良,也要求屏体占比更高,为了尽可能增加屏体占比,就需要更窄的边框与之对应,目前市面上的显示屏都是朝着此方向在不断努力,现有技术条件下可以做到左右(指与绑定区垂直的方向)边框总宽度在0.85mm及以上。
对于AMOLED显示屏来说,其发光材料及其上层电极的制作需要通过蒸镀设备搭配使用FMM(全称Fine Metal Mask,高精度金属掩模板)/CMM(全称Common Metal Mask,共通层金属掩模板)跟下基板玻璃对位蒸镀完成。上层电极与下层驱动电路走线的联通一般通过左右边框的电源信号线搭接区域导通。由于蒸镀设备蒸镀对位精度和CMM/FMM制作精度的限制,使得电源信号线搭接区不得不做大,同时需要与封装区域保持一定距离,进而使得左右边框也无法做小。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种AMOLED基板,能够增大显示屏的空间利用率,缩小显示屏的左右边框,从而提高屏占比。
本实用新型还提供一种包括上述AMOLED基板的AMOLED显示屏。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种AMOLED基板,所述AMOLED基板设有显示区、边框区和绑定区,所述边框区围绕所述显示区设置,所述绑定区设于所述显示区的下方,所述边框区设有封装区和信号搭接区,所述信号搭接区设于所述封装区与所述显示区之间;所述信号搭接区包括上搭接区和下搭接区,所述上搭接区和所述下搭接区分别位于所述边框区内部的上端和下端;所述上搭接区包括至少一个上边角搭接区,所述上边角搭接区的内边界紧挨着所述显示区上端边角位置处的外边界,所述上边角搭接区的外边界紧挨着所述封装区上端边角位置处的内边界;所述下搭接区包括至少一个下边角搭接区,所述下边角搭接区的内边界紧挨着所述显示区下端边角位置处的外边界,所述下边角搭接区的外边界紧挨着所述封装区下端边角位置处的内边界。
在其中一种实施方式,所述上边角搭接区的内边界与所述显示区上端边角位置处的外边界形状相同,所述上边角搭接区的外边界与所述封装区上端边角位置处的内边界形状相同;所述下边角搭接区的内边界与所述显示区下端边角位置处的外边界形状相同,所述下边角搭接区的外边界与所述封装区下端边角位置处的内边界形状相同。
在其中一种实施方式,所述上边角搭接区的宽度按照从上到下的方向逐渐递减;所述下边角搭接区为向上弯曲的锥形结构,所述下边角搭接区的宽度按照从下到上的方向逐渐递减。
在其中一种实施方式,所述上边角搭接区设为两个,分别位于所述边框区内部的左上端和右上端;所述下边角搭接区设为两个,分别位于所述边框区内部的左下端和右下端。
在其中一种实施方式,所述上搭接区还包括上中间搭接区,所述上边角搭接区延伸于所述上中间搭接区的一侧,所述上中间搭接区的内边界紧挨着所述显示区上端中间位置处的外边界,所述上中间搭接区的外边界紧挨着所述封装区上端中间位置处的内边界。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





